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購入 2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料 オンライン製造業者

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購入 熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー オンライン製造業者

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質 GaNの型板は適用SSPサファイアのキャリアの基質の破片の習慣のオリエンテーションを育てます 工場

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質 ダイヤモンドの基質のダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアル フィルムのAlN 工場

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質 2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板 工場

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質 レーザーの投射の表示ガリウム窒化物のGaNのウエファー350umの厚さ 工場

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質 半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの基質の型板N -タイプ2のインチ 工場

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質 HVPEガリウム窒化物のGaNのウエファー、Ganの破片の自由な地位10 x 10のmmのサイズ 工場

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質 エネルギー効率が良い照明のための高い発電の効率のGaNのウエファー ガリウム窒化物のウエファー 工場

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質 4"ガリウム窒化物のウエファー 工場

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質 4'6' AIN シリコン基板 SSP DSP 半導体ホイール 100nm 200nm 層 工場

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質 半導体のためのUndoped 10X10mmのM軸線HVPE GANのウエファー 工場

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