サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH 4INCH NPSS/FSS AlNの型板

起源の場所 中国
ブランド名 zmkj
モデル番号 2inch AlN
最小注文数量 5pc
価格 by case
パッケージの詳細 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
受渡し時間 2 - 4週間
支払条件 L / C、T / T
商品の詳細
材料 ウエファーのAlN 方法 HVPE
サイズ 2インチ 厚さ 430+15um
企業 、レーザー装置導かれる、LD探知器、 表面 DSP
ハイライト

gan型板

,

alnの型板

メッセージ
製品の説明

サファイアまたはsicの基質のHVPEガリウム窒化物のウエファー、GaNのAlNの基質の2inch AlNの型板

サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH AlNの型板

 

私達はAlGaNの紫外線LEDs、半導体デバイスおよびエピタキシアルのためのAlNのウエファーかAlNの型板を、成長呼んだc平面のサファイアの型板のAlNの単一の結晶の基質を提供する。私達のepi準備ができたにのC平面のAlNの基質よいXRD FWHMか転位密度がある。利用できる厚さは30nmから5umにある。
低い転位の私達の単結晶の窒化アルミニウムの基質に適用が広くある:紫外線LED、探知器のIRのシーカーの窓、III窒化物、レーザー、RFのトランジスターおよび他の半導体デバイスのエピタキシアル成長を含んで。

禁止された帯域幅は(発光および吸収)紫外、可視ライトおよび赤外線をカバーする。
AlNの型板はHEMTの構造、共鳴トンネルを掘るダイオードの開発のために使用される

acoustoelectronic装置

 サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH 4INCH NPSS/FSS AlNの型板 0


指定:

サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH 4INCH NPSS/FSS AlNの型板 1

 

  2" AlNの型板  
項目 AlN-T
次元 Ф 2"
基質 サファイア、SiC、GaN
厚さ 1000nm+/- 10%
オリエンテーション C軸線(0001)の± 1°
伝導のタイプ Semi-Insulating
転位密度 XRD FWHMの(0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHMの(10-12) < 1000="" arcsec="">
使用可能な表面積 > 80%
ポーランド語 標準:SSP
選択:DSP
パッケージ 、窒素の大気の下で25pcsまたは単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。
FAQ

Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。

:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品が在庫になければ15-20日である、

それは量に従ってある。

Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。

:はい、私達は私達がFOBによって担当するサンプルを提供するそれのために残念である。

 

Q:あなたの支払い条件は何であるか。

:Payment=1000USD<>、先立って30% T/T、

郵送物の前のバランス。
別の質問があれば、plsは次として私達に連絡して自由に感じる: