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Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

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Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

中国 Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ サプライヤー
Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ サプライヤー Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ サプライヤー

大画像 :  Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmsh
モデル番号: GaN-001

お支払配送条件:

最小注文数量: 1pcs
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
受渡し時間: 2 - 4週間
支払条件: L/C、T/T
供給の能力: 10pcs/month
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詳細製品概要
材料: GaNの単結晶 産業: 半導体ウエハー、LED
アプリケーション: 半導体デバイス、LDのウエファー、LEDのウエファー、探検家の探知器、レーザー、 タイプ: 半国連によって添加されるタイプ
カスタマイズされた: わかりました サイズ: カスタマイズされる2inchか小さい
厚さ: 330um

2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LDのためのGaNの自由で永続的な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー

 

GaNの特徴について導入して下さい

高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は作りました        

半導体工業は半導体として使用される材料の選択を再考します。例えば、                      

さまざまでより速く、より小さい計算装置が起こると同時に、ケイ素の使用はムーアの法律を支えることを困難にしています。しかしまたパワー エレクトロニクス、従ってGaNの半導体ウエハーで必要性のために育てられます。              

 独特な特徴(高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が)の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。    GaNはシステムを持っていて高い発電の効率を基づかせていて、従って従って減少の電源切れはより高い頻度で、転換しま、サイズおよび重量を減らします。                                                                                                                              

GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、                       

GaNは細胞基地局、レーダーおよびケーブル・テレビのようなRFの適用に理想的に適します                             

ネットワーキング、大気および宇宙空間および防衛セクター、高い故障の強さのおかげでの下部組織、      

低雑音図および高い直線性。

 

 

 

 

 

 

 

2" GaNの基質  
項目 GaN FSN GaN FS SI
次元 Ф 50.8mmの± 1mm
Marcoの欠陥密度 レベル ≤ 2 cm-2
Bのレベル > 2 cm-2
厚さ 330 ± 25のµm
オリエンテーション C軸線(0001)の± 0.5°
平らなオリエンテーション (1-100の) ± 0.5°の16.0の± 1.0mm
平らな二次オリエンテーション (11-20の) ± 3°の8.0 ± 1.0mm
TTV (総厚さの変化) ≤15 µm
≤20 µm
伝導のタイプ Nタイプ 半絶縁
抵抗(300K) < 0=""> >106 Ω·cm
転位密度 5x106 cm-2よりより少し
使用可能な表面積 > 90%
ポーランド語 前部表面:RA < 0="">
背部表面:良い地面
パッケージ 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。

 

Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

適用

  1. - さまざまなLED'S:白いLED、すみれ色LED、紫外LED、青いLED
  2. - 半導体レーザー:すみれ色LD、超小さいプロジェクターのための緑LD。
  3. - 力の電子デバイス
  4. - 高周波電子デバイス
  5. - 環境の検出
  6. ■の使用法
  7. MOCVD等によるエピタキシアル成長のための基質。

タグ:

gan基質,

gan型板

連絡先の詳細
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

コンタクトパーソン: Wang

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