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無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCはウエファーを磨きました

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無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCはウエファーを磨きました

中国 無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCはウエファーを磨きました サプライヤー
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商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmsh
モデル番号: HPSI

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最小注文数量: 1pcs
価格: by case
パッケージの詳細: カスタマイズされた場合によって
受渡し時間: 中15days
供給の能力: ポーレックス
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詳細製品概要
業界: 半導体の基質 材料: sicの水晶
応用分野: 5Gの装置材料、MOCVDのパワー エレクトロニクス タイプ: 4H-N、半、添加される
色: 、青い緑、白い 硬度: 9.0

Hardness9.4無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCは高い伝送の光学適用のためのウエファーを磨きました 

 

SiCのウエファーの特徴

 

特性 4H SiCの単結晶 6H SiCの単結晶
格子変数 a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
順序の積み重ね ABCB ABCACB
Mohsの硬度 ≈9.2 ≈9.2
密度 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm。拡張係数 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
屈折の索引@750nm

= 2.61無し

ne = 2.66

= 2.60無し

ne = 2.65

比誘電率 c~9.66 c~9.66
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
熱伝導性(半絶縁)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ 3.23 eV 3.02 eV
故障の電場 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
飽和漂流速度 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

 

GaAaおよびSiと比較されるSiCの物理的な及び電子特性

 広いエネルギーBandgap (eV)

4H SiC:3.26 6H SiC:3.03 GaAs:1.43のSi:1.12

SiCで形作られる電子デバイスはで広いエネルギーbandgapのために本質的な伝導の効果に苦しまないで高温非常に作動できます。また、この特性はSiCが可能な青い発光ダイオードおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターの製作をする短波ライトを出し、検出するようにします。

高い故障の電界[V/cm (1000ボルト操作のために)]

4H SiC:2.2 x 106* 6H SiC:2.4 x 106* GaAs:3 x 105 Si:2.5 x 105

SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配(か電界に)抗できます。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にします。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにしま高い装置記録密度を集積回路に提供します。

高い熱伝導性(W/cm·K @ RT)
4H SiC:3.0-3.8 6H SiC:3.0-3.8 GaAs:0.5 Si:1.5

SiCは優秀な熱コンダクターです。熱はSiCを他の半導体材料よりもっと容易に貫流します。実際、室温で、SiCにあらゆる金属より高い熱伝導性があります。この特性はまだSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動し、発生する多量の余分な熱を散らすことを可能にします。

最高によって飽和させる電子漂流速度[cm/sec (@ Eの≥ 2 x 105 V/cm)]

4H SiC:2.0 x 107 6H SiC:2.0 x 107 GaAs:1.0 x 107 Si:1.0 x 107
SiC装置は高周波でSiCの最高によって飽和させる電子漂流速度のために(RFおよびマイクロウェーブ)作動できます。

 

適用

*III-Vの窒化物の沈殿*Optoelectronic装置

*High-Power装置*高温装置

 

 
物質的なインゴットの2.Size
 

2"

3"

4"

6"

 

Polytype

4H/6H

4H

4H 

4H

 

直径

50.80mm±0.38mm

76.2mm±0.38mm

100.0mm±0.5mm

150.0mm±0.2mm

 

       
 
細部の3.products
 
無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCはウエファーを磨きました 

無色の透明な高い純度4H-SEMIの炭化ケイ素SiCはウエファーを磨きました

 

FAQ:

Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。

A:(1)私達はDHL、Federal Express、FOBによるEMSを受け入れます。

 

Q:支払う方法か。

A:T/T、先立って 

 

Q:あなたのMOQは何ですか。

A:(1)目録のための、MOQは30gです。

(2)カスタマイズされたcommenプロダクトのための、MOQは50gです

 

Q:受渡し時間は何ですか。

A:(1)標準的なプロダクトのために

目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後あります。

カスタマイズされたプロダクトのため:配達は接触を発注した-4週後2です。

 

 
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