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4"ガリウム窒化物のウエファー
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4"ガリウム窒化物のウエファー

起源の場所 中国
ブランド名 zmkj
モデル番号 2-4inch GaNの型板
プロダクト細部
材料:
サファイアのウエファーの層
方法:
HVPE
サイズ:
2inch、4inch
厚さ:
430+15umか650um
企業:
、レーザー装置導かれる、LD探知器、
表面:
磨かれるダブルまたはシングルの側面
ハイライト: 

4"ガリウム窒化物のウエファー

,

HVPEガリウム窒化物のウエファー

,

650umガリウム窒化物のウエファー

製品の説明

 

UVC LED EPIの基質はサファイアの2inch、4inchガリウム窒化物のAlNの型板のウエファーをかsicの基質層にする、

HVPEガリウム窒化物のウエファー、AlNの型板

 
  1. III窒化物(GaN、AlNのイン)

禁止された帯域幅は(発光および吸収)紫外、可視ライトおよび赤外線をカバーする。

 
プロダクト 窒化アルミニウム(AlN)のフィルム
製品の説明: AllN Epitxialはモデルsaphhireの水素化合物の蒸気段階のエピタクシー(HVPE)方法を提案した。窒化アルミニウムのフィルムはまた窒化アルミニウムの単結晶の基質を取り替える費用効果が大きい方法である。枝水晶は誠意をこめてあなたの照会を歓迎する!
技術的な変数:
サイズ 50mmの± 2mm
サファイアの基質のオリエンテーション c軸線(0001)の± 1.0deg
マクロ欠陥密度 <5cm-2>
利用できる表面積 90%
前に表面処理 Epi準備ができている育てられる
容器 単一の破片

 

指定:

10x10x0.5mm、10x10x1mm、dia2 「x1mm;

顧客需要の特別なオリエンテーションおよびサイズに従ってカスタマイズすることができる。

標準的な包装: 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装
 


指定:

  4" AlNの型板 良いまた2-4inchサイズ
項目 AlN-T
次元 Ф 100±0.3mm
基質 サファイア、SiC、GaN
厚さ 1000nm+/- 10% (AlNの厚さ)
オリエンテーション C軸線(0001)の± 1°
伝導のタイプ Semi-Insulating
転位密度 XRD FWHMの(0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHMの(10-12) < 1000="" arcsec="">
使用可能な表面積 > 80%
ポーランド語 標準:SSP
選択:DSP
パッケージ 、窒素の大気の下で25pcsまたは単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。または単一カセット。

他のサイズaslike 5x5mm、10x10mm、2inch、3inchはまたカスタマイズすることができる。

 

 

4"ガリウム窒化物のウエファー 0

適用:

4"ガリウム窒化物のウエファー 1

4"ガリウム窒化物のウエファー 2

4"ガリウム窒化物のウエファー 3

4"ガリウム窒化物のウエファー 4

 

私達のチームについて

    ZMKJは中国最もよい市である置く上海市に

そして私達の工場は2014年にウーシー都市で、半導体材料で創設される、

10yearsのためのよい経験をほとんど持ちなさい。
私達は電子工学、光学、光電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびcustiomized光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。
それは私達のよいreputatiaonsによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。


4"ガリウム窒化物のウエファー 5

 

推薦されたプロダクト

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Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
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