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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | zmkj |
| モデル番号 | 4H-N、4inch |
4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、
4inch種結晶の等級のためのカスタマイズされた厚さ4inch 4H-Nの炭化ケイ素水晶sicのウエファー;
炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム
炭化ケイ素の物質的な特性
| 製品名: | 炭化ケイ素（SiC）の水晶基質 | ||||||||||||||||||||||||
| 製品の説明: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| 技術的な変数: |
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| 指定: | 6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| 標準的な包装: | 1000クリーン ルーム、100きれいな袋か単一箱の包装 |
2. 基質は標準の大きさで分類する
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4インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定 |
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| 等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |||||
| 直径 | 100.0 mm±0.5 mm | ||||||||
| 厚さ | 350 μm±25μm （200-2000um厚さはまた良い） | ||||||||
| ウエファーのオリエンテーション | 軸線を離れて:4H-Nのための <1120> ±0.5°の方の4.0° | ||||||||
| Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
| 抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| 第一次平たい箱および長さ | {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らな長さ | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | ||||||||
| 端の排除 | 3つのmm | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| 荒さ | ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| 高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | ||||||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | ||||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | ||||||
| 高輝度ライトによる傷 | 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | ||||||
| 端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | ||||||
| 高輝度ライトによる汚染 | どれも | ||||||||
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
3.Products細部の表示
配達及びパッケージ
Q1. あなたの会社は工場または貿易会社であるか。
私達は工場であり、また私達自身輸出をしてもいい。
Q2.Is sicビジネスを会社の唯一の使用か。
はい;但し私達は自己によってsicの水晶を育てない。
Q3. サンプルを供給するでしようか。
はい、私達は顧客の要求に従ってサファイアのサンプルを供給してもいい。
Q4. sicのウエファーの在庫があるか。
私達は通常在庫で2-6inchウエファーからの一部の標準サイズsicのウエファーを保つ。
Q5.Whereあなたの会社は見つけられるか。
上海、中国にある私達の会社。
Q6. どの位プロダクトを得るために取るか。
通常処理するために3~4週かかる。それは量そしてサイズのプロダクトによって決まることである。
私達にいつでも連絡しなさい
