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レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー
  • レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー

レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー

起源の場所 中国
ブランド名 zmkj
モデル番号 GaN-2INCH
プロダクト細部
材料:
GaNの単結晶
方法:
HVPE
サイズ:
2inch
厚さ:
330um
企業:
、レーザー装置導かれる、LD探知器、
色:
白い
パッケージ:
真空の状態による単一のウエファー カセット箱のパッケージ
ハイライト: 

HVPEガリウム窒化物のウエファー

,

GaNガリウム窒化物のウエファー

,

HVPEのganウエファー

製品の説明

2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、

 

  1. III窒化物(GaN、AlNのイン)

禁止された帯域幅は(発光および吸収)紫外、可視ライトおよび赤外線をカバーする。

レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー 0レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー 1

 

 

GaNはLED表示、高エネルギー検出およびイメージ投射のような多くの地域で使用することができる

レーザーの投射の表示、力装置、等。

レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー 2

 

指定:

項目 GaN FSN
次元 Ф 50.8mmの± 1mm
Marcoの欠陥密度 レベル ≤ 2つのcm-2
Bのレベル > 2つのcm-2
厚さ 300 ± 25のµm
オリエンテーション C軸線(0001)の± 0.5°
オリエンテーションの平たい箱 (1-100の) ± 0.5°の16.0の± 1.0mm
二次オリエンテーションの平たい箱 (11-20の) ± 3°の8.0 ± 1.0mm
TTV (総厚さの変化) ≤15 µm
≤20 µm
伝導のタイプ Nタイプ
抵抗(300K) < 0="">
転位密度 5x106 cm-2よりより少し
使用可能な表面積 > 90%
ポーランド語

前部表面:RA < 0="">

背部表面:良い地面

パッケージ 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。

 

2. 私達の企業の視野

私達は企業にGaNの良質の基質および適用技術を提供する。

良質のGaNmaterialはIII窒化物の塗布、例えば長い生命および安定性が高いLDs、高い発電および高い信頼性のマイクロウェーブ装置、高い明るさおよび高性能、省エネLEDのための抑制の要因である。

 

レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー 3

 

- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
(2)あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 (最初の重量) + USD12.0/kg

Q:受渡し時間は何であるか。
(1) 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。

Q:支払う方法か。
100%T/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証。

Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは1pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-10pcsである。
それは量および技術によって決まる。

Q:材料のための点検報告があるか。
私達はROHSのレポートを供給し、私達のプロダクトのためのレポートに達してもいい。

 

 

推薦されたプロダクト

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