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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | ZMSH |
| モデル番号 | 4H |
強力な装置のための4H-N 4H-SEMI 2inch 3inch 4inch 6Inch SiCの基質の生産の等級の模造の等級
Hの高い純度の炭化ケイ素の基質、高い純度4inch SiCの基質、半導体のための4inch炭化ケイ素の基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット
アプリケーション領域
1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOSFET
2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料（GaN/SiC）で主にLED使用されて
advantagement
•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンド ギャップ
炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム
炭化ケイ素の物質的な特性
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. 基質は6inchのための標準の大きさで分類する
| 6インチ（直径）の4H-N &Semiの炭化ケイ素の基質の指定 | ||||||||
| 基質の特性 | ゼロ等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | ||||
| 直径 | 150のmm0.05 mm | |||||||
| 表面のオリエンテーション | off-axis:4°toward <11-20> ± 0.5° 4H-Nのため
軸線: <0001>±0.5°for 4H-SI |
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| 第一次平らなオリエンテーション |
{10-10} 4H-Semiの4H-N/ノッチのための±5.0° |
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| 第一次平らな長さ | ± 47.5 mmの2.5 mm | |||||||
| 厚さ4H-N | STD 350±25umかcustomzied 500±25um | |||||||
| 厚さ4H-SEMI | 500±25um STD | |||||||
| ウエファーの端 | 小さな溝 | |||||||
| 4H-NのためのMicropipe密度 | <0> | ≤2micropipes/のcm2 | ≤10 micropipes/のcm2 |
≤15 micropipes/のcm2
|
||||
| 4H-SEMIのためのMicropipe密度 | <1 micropipes=""> | ≤5micropipes/のcm2 | ≤10 micropipes/のcm2 | ≤20 micropipes/のcm2 | ||||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも割り当てなかった | ≤10%区域 | ||||||
| 4H-Nのための抵抗 | 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | （区域75%） 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4H-SEMIのための抵抗 |
≥1E9 Ω·cm |
|||||||
| LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3 μm/≤6 μ m/≤30 μm/≤40 μ m |
≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μ m |
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高輝度Lighによる六角形の版 |
累積区域≤0.05% |
累積区域≤0.1% |
||||||
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高輝度ライトによるケイ素の表面汚染 |
どれも |
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視覚カーボン包含
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累積区域≤0.05% |
累積区域の≤3% |
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高輝度ライトによるPolytype区域
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どれも |
累積area≤3% |
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