customziedサイズによる高い純度HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sicのウエファーDSP透明なsicの水晶光学レンズ4H-SEMI
ZMSHはSiCのウエファーおよびエピタクシーを提供する:SiCのウエファーは優秀な性能の第三世代の広いbandgapの半導体材料である。それに広いbandgap、高い熱伝導性、高い故障の電界、高く本質的な温度、放射抵抗、よい化学安定性および高い電子飽和漂流率の利点がある。SiCのウエファーに大気および宇宙空間、柵の運輸、光起電発電、送電、新しいエネルギー車および他の分野で大きい適用見通しがまたあり、パワー エレクトロニクスの技術への革命的な変更を持って来る。Siの表面かCの表面は1つのウエファーの容器、以下100きれいな教室に窒素のガスによって詰まるepi準備ができた等級としてCMP各ウエファーあるである。
Epi準備ができたSiCのウエファーにNのタイプがあるまたはSemi-insulating、polytypeは異なった質等級の4Hまたは6H、Micropipe密度(MPD)である:自由、 <5>
2. 基質は私達の標準サイズの大きさで分類する
4インチ(直径)の炭化ケイ素(SiC)の基質の指定 |
|||||||||
等級 | ゼロMPDの等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |||||
直径 | 76.2 mm±0.3 mmか100±0.5mm; | ||||||||
厚さ | 500±25um | ||||||||
ウエファーのオリエンテーション | 0° (を離れた0001)軸線 | ||||||||
Micropipe密度 | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
第一次平たい箱および長さ | {10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
二次平らな長さ | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | ||||||||
端の排除 | 3つのmm | ||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
荒さ | ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
高輝度ライトでひび | どれも | 1弾の割り当てられる、≤2 mm | 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm | ||||||
高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤1% | 累積区域≤1% | 累積区域≤3% | ||||||
高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積区域≤2% | 累積区域≤5% | ||||||
Sicのウエファー及びインゴット2-6inchおよび他のカスタマイズされたサイズ また提供することができる。
3.Products細部の表示
配達及びパッケージ
私達にいつでも連絡しなさい