メッセージを送る
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
郵便: eric_wang@zmsh-materials.com 電話番号: 86-1580-1942596
> プロダクト > SiCの基質 >
無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級
  • 無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級
  • 無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級
  • 無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級

無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級

起源の場所 中国
ブランド名 tankblue
証明 CE
モデル番号 4h-n
プロダクト細部
材料:
SICの水晶
タイプ:
4h-n
純度:
99.9995%
抵抗:
0.015~0.028ohm.cm
サイズ:
2-8inch 2inch、3inch、4inch、6inch、8inch
厚さ:
350umまたはカスタマイズされる
MPD:
《2cm-2
適用:
SBDのため、MOS装置
TTV:
《15um
弓:
《25um
ワープ:
《45um
表面:
Si表面CMP、c表面MP
ハイライト: 

6inch Sicの基質

,

SBD MOS装置SiCの基質

,

4H-N炭化ケイ素の基質

製品の説明

 

4inch 6inch 8inch 4H-N sicのウエファーのSBD MOS装置、無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級のための模造の主な生産の等級

 

 

SiCの特徴

SiC (炭化ケイ素)はケイ素(Si)から混合材料成っているであり、高い硬度がおよび熱抵抗あり、化学的に安定しているカーボン(c)。
それに広いbandgapがあるので、半導体材料への適用は促進されて得ている。

私達の端の粉砕機の高精度で、高く堅い粉砕システムを使うと、滑らかな終わりを材料を切って困難であるSiCのウエファーを使うと達成することができる。

 

第三世代の半導体材料の比較

SiCの水晶はローパワーで大きい利点がある第三世代の半導体材料、小型化の、高圧および高周波適用シナリオである。第三世代の半導体材料は炭化ケイ素およびガリウム窒化物によって表される。半導体材料の前の2匹の生成と比較されて、最も大きい利点はより高い電界強さを突き通すことができる保障し、高圧および高周波力装置を準備するために適していることを広いバンドなしの幅である。

 

分類

炭化ケイ素SiCの基質は2つの部門に分けることができる:高い抵抗(resistorivity ≥107Ωの半絶縁された(高い純度非dopendおよびV添加された4H-SEMI)炭化ケイ素の基質·cm)、および低い抵抗の伝導性の炭化ケイ素の基質(抵抗の範囲は15-30mΩである·cm)。

無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 0無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 1無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 2

 

 

適用

無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 3

 

 

 

8inch 4H-N sicのウエファーのための指定。(2inch、3inch 4inchの8inch sicのウエファーはまた利用できる)

  • サイズ:8inch;
  • 直径:200mm±0.2;
  • 厚さ:500um±25;
  • 表面のオリエンテーション:[11-20] ±0.5°の方の4;
  • ノッチのオリエンテーション:[1-100] ±1°;
  • ノッチの深さ:1±0.25mm;
  • Micropipe: <1cm2>
  • 六角形の版:どれも割り当てなかった;
  • 抵抗:0.015~0.028Ω;
  • EPD:<8000cm2>
  • テッド:<6000cm2>
  • BPD:<2000cm2>
  • TSD:<1000cm2>
  • SF:区域<1>
  • TTV≤15um;
  • Warp≤40um;
  • Bow≤25um;
  • 多区域:≤5%;
  • 傷: <5 and="" Cumulative="" Length="">
  • 破片/刻み目:どれもD>0.5mmの幅および深さを割り当てない;
  • ひび:どれも;
  • 汚れ:どれも
  • ウエファーの端:小さな溝;
  • 表面の終わり:ポーランド二重側面Siの表面CMP;
  • パッキング:複数のウエファー カセットか単一のウエファーの容器;
  •  

産業鎖

炭化ケイ素SiCの産業鎖は基質の物質的な準備、エピタキシアル層の成長、装置製造業および下流の適用に分けられる。炭化ケイ素のモノクリスタルは通常物理的な蒸気伝達(PVT方法)によって準備され、それからエピタキシアル シートは化学気相堆積(CVD方法)によって基質で発生し、関連した装置は最終的になされる。基質の製造技術の難しさによるSiC装置の産業鎖では産業鎖の価値は上流の基質リンクに主に集中される。

 

関連製品

無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 4無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級 5

 

なぜZMSHの会社を選びなさいか

  1. からの最終的なクリーニングへの完全な生産の鎖切れ、パッキング。
  2. 直径の4インチ12インチのウエファーを開拓する機能。
  3. モノクリスタル電子材料のwafering、開拓の20年の経験

ZMSHの技術はバッチのsemi-insulatingおよびHPSI (Semi-insulating高い純度) SiCの基質輸入された国内良質の伝導性、2-6inchを顧客に与えることができる;さらに、それは同質な、異質炭化ケイ素エピタキシアル シートを顧客に与えまた顧客の特定の必要性に従って最低順序量無しで、カスタマイズすることができる。

 

 

私達に連絡しなさい

 

モニカ劉
Tel:+86-198-2279 - 1220 (whatsappかskypeは利用できる)

電子メール:monica@zmsh-materials.com
会社:上海有名な貿易CO.、株式会社。

工場:ウーシーJINGJINGの技術CO.、株式会社。

住所:Room.5-616のNo.851 Dianshanhuの道、Qingpu区域
上海都市、中国/201799
私達は半導体の水晶(GaNの焦点である;SiC;サファイア;GaAs;INP;ケイ素;MgO、LT/LN;等)

 

私達にいつでも連絡しなさい

86-1580-1942596
Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
私達にあなたの照会を直接送りなさい