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ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板

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ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板

中国 ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板 サプライヤー
ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板 サプライヤー ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板 サプライヤー

大画像 :  ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: GaN型板

お支払配送条件:

最小注文数量: 5pc
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
受渡し時間: 2 - 4週間
支払条件: L / C、T / T
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詳細製品概要
材料: サファイアのキャリアのGaNのepi 方法: HVPE
サイズ: 2inch 厚さ: 430um
産業: 、レーザー装置導かれる、LD探知器、 表面に: 磨かれる単一の側面

2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、

GaNの指定/特殊機能:

  1. ガリウム窒化物(GaN)はウルツ鉱が結晶構造あるで、第三世代の材料としておそらく最も重要な半導体材料です非常に堅いなされた材料
  2.  それが華麗なライトを発光ダイオード(LEDs)および半導体レーザーの形で出したり、また次世代の高周波のための主な材料、高温で作動することができる高い発電のトランジスターにあるのに使用することができます。
  3. GaNはサファイアの基質、直径にエピタキシアル ウエファー(サファイア、SiC)エピタキシアル ウエファーがMBEまたはMOCVD方法によって育つ、1つの層または多層構造を4インチまで基づかせていました。

III窒化物(GaN、AlNのイン)の禁止された帯域幅(発光および吸収)カバー紫外線、

可視ライトおよびinfrared.GaNはLED表示、高エネルギー検出のような多くの地域で使用することができます

そしてイメージ投射、レーザーの投射の表示、力装置、等。

 ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板
 
指定:
 

2" GaNの型板

 

 項目

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

次元

Ф 2"

 厚さ

15 μm、20 μm、30 μm、40 μm

30 μm、90 μm

 オリエンテーション

C軸線(0001)の± 1°

伝導のタイプ

Nタイプ

半絶縁

 抵抗(300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 転位密度

1x108 cm-2よりより少し

基質の構造

 
430umか330umサファイアの厚いGaN (0001)

 

 使用可能な表面積

> 90%

ポーランド語

標準:SSPの選択:DSP

 パッケージ

、窒素の大気の下で25pcsまたは単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。

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ウルツ鉱の結晶構造LEDのウエファーのGaNガリウム窒化物の基質の型板
- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できますか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れます。
Q:受渡し時間は何ですか。
(1) 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日です。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数です。
Q:支払う方法か。
先立って100%T/T、Paypalの西連合、MoneyGram、


 

タグ:

gan基質,

gan型板

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