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中国最新ニュース ウェーハ洗浄技術とデータ共有

ウェーハ洗浄技術とデータ共有

[2025-09-03 11:38:53]
ウェーハ洗浄技術とデータ共有 ウェーハ洗浄技術は、半導体製造において非常に重要なプロセスです。原子レベルのコンタミネーションでさえ、デバイスの性能や歩留まりに影響を与える可能性があるからです。洗浄プロセスは通常、有機残留物、金属、粒子、自然酸化膜など、さまざまな種類のコンタミネーションを除去するために複数のステップを含みます。 1. ウェーハ洗浄の目的: 有機コンタミネーション(例:フォトレジスト、指紋)の除去 金属不純物(例:Fe、Cu、Ni)の除去 粒子の除去(例:埃、シリコン破片) 自然酸化膜(例:空気への暴露によって形成されるSiO₂層)の除去 2. 厳格なウェーハ洗浄の保証: 高いプ... 続きを読む
中国最新ニュース 半導体製造における主要な原材料:ウェーハ基板の種類

半導体製造における主要な原材料:ウェーハ基板の種類

[2025-08-20 09:24:15]
半導体製造における主要な原材料:ウェーハ基板の種類 ウェーハ基板は半導体デバイスの物理的なキャリアとして機能し、その材料特性はデバイスの性能、コスト、および適用範囲に直接影響します。以下は、主要なウェーハ基板の種類とその利点と欠点です。 1. シリコン(Si) 市場シェア:世界の半導体市場の95%以上を占めています。 利点: 低コスト:豊富な原材料(二酸化ケイ素)と成熟した製造プロセスにより、大幅な規模の経済が実現します。 高いプロセス互換性:高度に成熟したCMOS技術は、ナノスケール製造(例:3nmノード)をサポートしています。 優れた結晶品質:大型(12インチが主流、18インチを開発中)の... 続きを読む
中国最新ニュース 大型レーザー切断機器:将来の8インチSiCウェーファー生産のためのコア技術

大型レーザー切断機器:将来の8インチSiCウェーファー生産のためのコア技術

[2025-08-13 09:09:32]
大型レーザー切断機器:将来の8インチSiCウェーファー生産のためのコア技術 シリコン・カービッド (SiC) は 国防安全保障にとって重要な技術であるだけでなく グローバルな自動車産業とエネルギー産業にとって重要な焦点でもありますSiCモノ結晶材料の初期加工段階として標準的なスライス処理は表面/地下に亀裂が生じる傾向があります.壊れ率と製造コストの増加したがって,表面の裂け目の損傷を制御することは,SiC装置の製造技術の進歩にとって極めて重要です. ZMSHのウエーファー薄め装置 現在,SiC・インゴットの切断は 2つの大きな課題に直面しています. 伝統的な多線切削では 材料の損失率が高い... 続きを読む
中国最新ニュース ワッファーレベルパッケージング (WLP) の包括的な概要:技術,統合,開発,そして主要なプレーヤー

ワッファーレベルパッケージング (WLP) の包括的な概要:技術,統合,開発,そして主要なプレーヤー

[2025-08-12 15:55:35]
ワッファーレベルパッケージング (WLP) の包括的な概要:技術,統合,開発,そして主要なプレーヤー ワッフルレベルパッケージ (WLP) の概要 Wafer-Level Packaging (WLP) represents a specialized integrated circuit (IC) packaging technology characterized by the execution of all critical packaging processes while the silicon wafer remains intact—prior to dicing into ... 続きを読む
中国最新ニュース 3C-SiCヘテロエピタキシーの解析

3C-SiCヘテロエピタキシーの解析

[2025-08-07 09:18:45]
3C-SiCヘテロエピタキシーの分析 I. 3C-SiCの開発史​​ 炭化ケイ素(SiC)の重要な多形体である3C-SiCは、半導体材料科学の進歩を通じて発展してきました。1980年代には、西野らによって、化学気相成長法(CVD)を用いてシリコン基板上に4μm厚の3C-SiC薄膜が初めて実現され、3C-SiC薄膜技術の基礎が築かれました。1990年代はSiC研究の黄金時代となり、Cree Research Inc.が1991年と1994年にそれぞれ6H-SiCおよび4H-SiCチップを製品化し、SiCベースのデバイスの商業化を加速させました。 21世紀初頭には、シリコンベースのSiC膜に関する... 続きを読む
中国最新ニュース マイクロジェットレーザー技術により,シリコンカービッドARガラス産業の発展が促進される

マイクロジェットレーザー技術により,シリコンカービッドARガラス産業の発展が促進される

[2025-08-06 15:55:15]
I. 開発の背景 拡張現実(AR)技術が日常生活に徐々に浸透するにつれて、ARグラス市場は急速な成長を遂げています。材料と加工技術の革新が、この進歩の主要な推進力となっています。MicroJetレーザー技術と炭化ケイ素(SiC)材料の統合は、ARグラス業界に革命をもたらしています。 II. 業界の進歩を促進する相乗効果 1. ARアプリケーションにおけるSiCの価値 炭化ケイ素(SiC)は、その独特の光学的および物理的特性により、ARレンズにおいて大きな可能性を示しています。高い屈折率(2.65~2.73)、軽量性、優れた強度、および優れた熱伝導性により、SiCは従来のガラスレンズと比較して、... 続きを読む
中国最新ニュース 高出力レーザーシステム向け、有望な熱管理能力を持つSiCメタレンズ

高出力レーザーシステム向け、有望な熱管理能力を持つSiCメタレンズ

[2025-08-04 10:21:58]
ウェストレイク大学チームは,高性能レーザーシステムのための有望な熱管理能力を持つ新しいSiCメタレンを開発 ウェストレイク大学でミン・キウ教授率いる研究グループは,新しい均質な4H-SiC (シリコンカービッド) メタレンを開発しました.高功率レーザー処理における熱漂流に対処するユニークなソリューションを提供. 4H-SiCの高熱伝導性と低損失特性を活用することで,新しいメタレンは複雑な外部冷却システムを必要とせずに熱漂移を効果的に抑制します. 高性能レーザーシステムに 重要な支援を提供するだけでなく 精密儀器,極地探査,航空宇宙などの分野にも 新たな可能性が開かれています非常に高い加工精度と... 続きを読む
中国最新ニュース クォーツガラス の 焼却 プロセス

クォーツガラス の 焼却 プロセス

[2025-07-28 16:31:54]
クォーツガラス の 焼却 プロセス クォーツガラスは,不均一な温度にさらされると,ストレスを発生します.任意の特定の温度では,クォーツガラスは,対応する原子構造を持っています.原子の空間配置が"最適"である原子の隙間は温度によって変化し,熱膨張と呼ばれる現象です.クォーツガラスが不均等に加熱されると,差異的な膨張を引き起こします.圧力は,加熱された領域が外側へと拡大するが,冷たい環境によって制限されるときに発生する.通常は製品に損傷を与えない圧縮力しかし,温度が急激に下がると,粘度が急激に上昇し,原子構造が低温に適応するのを妨げます.骨折を起こすような 張力ストレスを引き起こします温度が下がる... 続きを読む
中国最新ニュース ​石英はなぜアニーリングを必要とするのか?​

​石英はなぜアニーリングを必要とするのか?​

[2025-07-28 15:27:41]
クォーツ は なぜ 焼却 を 求め ます か クォーツガラスは,加工方法,用途,外見により,溶融透明クォーツガラス,ガス精製透明クォーツガラス,合成クォーツガラス透明度に基づいて,高純度,標準,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度,高純度... 続きを読む
中国最新ニュース 光伏産業におけるレーザー応用

光伏産業におけるレーザー応用

[2025-07-28 13:48:09]
光伏産業におけるレーザー応用 光伏 (PV) エネルギーの開発と利用において,高精度と効率性で知られるレーザー技術がますます重要な役割を果たしています.この記事では,PV分野におけるレーザー技術の様々な応用について調べ,その将来の発展の可能性について見直しします.. レーザー 切断 レーザー技術は,結晶性シリコンを切るのに広く使用されています.レーザー切削パラメータを正確に制御することで,製造業者は効率的で低損失のウエファー切片を達成することができます.これにより PV モジュールの効率と出力を向上させるレーザー切削は太陽電池製造においても用いられ,レーザーエッチングにより微小およびナノスケー... 続きを読む
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