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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
郵便: eric_wang@zmsh-materials.com 電話番号: 86-1580-1942596
> プロダクト > SiCの基質 >
模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ
  • 模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ
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模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ

起源の場所 中国
ブランド名 zmsh
モデル番号 6inch-001
プロダクト細部
適用:
、5G導かれるの装置探知器、パワー エレクトロニクス
企業:
semicondctorのウエファー
材料:
半導体sic
色:
緑か白くまたは青
硬度:
9.0
タイプ:
4H、非添加される6H、添加される
ハイライト: 

sicのウエファー

,

sicの基質

製品の説明

6inch sicの基質、6inch sicのウエファー、sicの水晶インゴット、

sicのクリスタル・ブロック、sicの半導体の基質、炭化ケイ素のウエファー

 

6インチ(直径)、炭化ケイ素(SiC)の基質の指定  
等級 ゼロMPDの等級 生産の等級 研究の等級 模造の等級
直径 150.0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μmか500±25un
ウエファーのオリエンテーション 軸線を離れて:軸線の< 1120=""> 4H-Nのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-SI/4H-SIのための±0.5°
第一次平たい箱 {10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ 47.5 mm±2.5 mm
端の排除 3つのmm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Micropipe密度 ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤100 cm-2
抵抗 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
荒さ ポーランドRa≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび どれも 1弾の割り当てられる、≤2 mm 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm
高輝度ライトによる六角形の版 累積区域≤1% 累積区域≤2% 累積区域≤5%
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積area≤2% 累積area≤5%
高輝度ライトによる傷 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷
端の破片 どれも 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ
高輝度ライトによる汚染 どれも
模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ 0
6inchサイズの水晶が&processの(重なり合い、磨く)技術的な難しさを育てるので、私達は30daysの共通プロダクトとしてちょうど6inch模造の等級を提供してもいく、生産は等級別になり90daysのために確保される必要がある。
 
 
私達の会社について
上海有名な貿易CO.、株式会社は中国最もよい市である、私達の工場は2014年にウーシー都市で創設される上海市に置き
私達は電子工学、光学、光電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびcustiomized光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。
それは私達のよいreputatiaonsによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である
模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ 1模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ 2模造の等級6Inch Sicの基質のウエファーDia150mm 4H-N 500mmの厚さ 3
 

私達にいつでも連絡しなさい

86-1580-1942596
Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
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