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リン化インジウムのウエファー

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リン化インジウムのウエファー

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中国 ゲルマニウムの単結晶のリン化インジウムのウエファーはGEの光学レンズ4/6インチをカスタマイズしました 工場

ゲルマニウムの単結晶のリン化インジウムのウエファーはGEの光学レンズ4/6インチをカスタマイズしました

4inch 6inchのゲルマニウムの単結晶GEの基質のウエファー、カスタマイズされたGEの光学レンズ ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲルマニウムのウエファー。 主要な特性の言葉 生産方法 Czochralski方法(CZ) 結晶... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 2 - 6インチ ガリウム リン化物の水晶基質のギャップのウエファー0.1 - 2mmの厚さ 工場

2 - 6インチ ガリウム リン化物の水晶基質のギャップのウエファー0.1 - 2mmの厚さ

2-6インチ ガリウム リン化物(ギャップ)の水晶水晶基質、ギャップのウエファー ZMKJの缶は直径の電子および光電子工学の企業に良質の単結晶のギャップのウエファー(ガリウム リン化物)を2インチまで提供します。ガリウム リン化物(ギャップ)の水晶は2つの要素、ガリウムおよびリン化物の液体によっ... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 4インチのLDの半導体レーザーのための半絶縁のリン化インジウムのウエファー 工場

4インチのLDの半導体レーザーのための半絶縁のリン化インジウムのウエファー

4inch LDの半導体レーザーのための半絶縁のリン化インジウムINPウエファー、半導体ウエハー、3inch INPウエファー、LDの適用のための単結晶wafer2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー INPは導入します INP単結晶 成... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 N / Pはゲルマニウムのウエファー、ゲルマニウムの光学版の直径0.5 | 150mmをタイプします 工場

N / Pはゲルマニウムのウエファー、ゲルマニウムの光学版の直径0.5 | 150mmをタイプします

2inch 4inch 6inch NのタイプPのタイプはゲルマニウムの単結晶のウエファーを添加しました、 ゲルマニウムの単結晶の光学版 GEのウエファー/GEの窓 ゲルマニウム(Ge)は高性能8-12 um波長バンドの赤外線イメージ投射システムのための好まれたレンズおよび窓材料です。その高いr.i... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 GEの光学版のリン化インジウムのウエファーの優秀な半導体材料 工場

GEの光学版のリン化インジウムのウエファーの優秀な半導体材料

ゲルマニウムの単結晶のウエファー、GEの光学版 ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲルマニウムのウエファー。 主要な特性の言葉 生産方法 Czochralski方法(CZ) 結晶構造 立方体 格子定数 a=5.65754Å 密度 5... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 LDのための第一次/模造の等級のリン化インジウムのウエファーの厚さ350um 工場

LDのための第一次/模造の等級のリン化インジウムのウエファーの厚さ350um

2inch LDのためのNタイプのPタイプの厚さ350umの第一次等級の模造の等級のリン化インジウム水晶INP基質のウエファー リン化インジウムの単結晶材料はリン化インジウムの基質(LD)の半導体レーザーのための主原料のほとんどの重要な半導体の混合物の1つ、発光ダイオード(LED)、光通信の生産のフ... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 3.58密度Mgoの基質/Mgoのウエファーの酸化マグネシウムの水晶の基質 工場

3.58密度Mgoの基質/Mgoのウエファーの酸化マグネシウムの水晶の基質

MgOの基質、10X10mm MgOのウエファー、半導体ウエハー、酸化マグネシウムの(MgO)の水晶基質、水晶の製造者MgOのウエファー5x5mm 製品の説明:酸化マグネシウム(MgO)はモノクリスタル基質のために優秀ferroelectric薄膜の生産で広く利用されていますです、彼は磁気フィルムの... Read More
2019-07-10 17:43:54
中国 黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー 工場

黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー

LDの適用のための2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー INPは導入します INP単結晶 tCZの成長(Czochralski変更された方法)が種から始まってホウ素の酸化物の液体のencapsulantによって単結晶を引っ張るのに使用さ... Read More
2019-07-10 17:43:54
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