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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | zmsh |
| モデル番号 | sic 6inch |
6inch sicの基質、4h-n、4H-SEMIのsicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質、高い純度の炭化ケイ素
SiCのウエファー
SiCの水晶は切れにcutted、磨いて、SiCのウエファーは来る。指定および細部については、ページの下で訪問しなさい。
SiCの結晶成長
バルク結晶成長はそれ以上の装置処理のための基盤を作る単一の結晶の基質の製作のための技術である。SiCの技術の進歩があるためには明らかに私達は再生可能なprocess.6H-のSiCの基質の生産は必要とし、4H- SiCの水晶は2100-2500°C.まで高温のグラファイトのるつぼで育つ。るつぼの実用温度は誘導の（RF）または抵抗暖房によって提供される。成長は薄いSiCの種で行われる。源は多結晶性SiCの粉充満を表す。グロース チャンバのSiCの蒸気は3つの種、搬送ガスによって薄くなる即ち、Si、Si2CおよびSiC2から主に、例えば、アルゴン成っている。SiCの源の進化は気孔率および微粒の直径の時間両方変動および粉の微粒の黒鉛化を含んでいる。
SiCのepiのウエファー
SiCの結晶構造
polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造がある。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCである。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられる
sicの結晶の欠陥
SiCで観察された欠陥のほとんどはまた他の結晶材料で観察された。転位、欠陥積み重ね（SFs）、低い角度の境界（実験室）および双生児のように。一部はIDBsのような弾丸音のブレンドかウルツ鉱構造を、持っている材料で他現われる。他の段階からのMicropipesそして包含はSiCで主に現われる。
SiCの水晶適用
多くの研究者は一般的なSiCの適用を知っている:III-Vの窒化物の沈殿;光電子工学装置;高い発電装置;高温装置;高周波力Devices.Butの数人は細部の塗布を、私達リストする細部を知っている
物質的な適用およびadvantagement
•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンド ギャップ
適用:
•GaNのエピタクシー装置
•光電子工学装置
•高周波装置
•高い発電装置
•高温装置
•発光ダイオード
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（Semi-insulating） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
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