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高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質

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高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質

中国 高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質 サプライヤー
高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質 サプライヤー 高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質 サプライヤー

大画像 :  高い純度の炭化ケイ素のウエファー、6インチ4H -半Sicの炭化ケイ素の基質

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmsh
モデル番号: sic 6inch

お支払配送条件:

最小注文数量: 1pcs
価格: by case
パッケージの詳細: カスタマイズされた場合によって
受渡し時間: 中15days
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詳細製品概要
産業: 半導体の基質 材料: sicの水晶
アプリケーション: 5Gの装置材料、MOCVDのパワー エレクトロニクス タイプ: 4H-N、半、添加される
色: 、青い緑、白い 硬さ: 9.0

6inch sicの基質、4h-n、4H-SEMIのsicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質、高い純度の炭化ケイ素

 

 

SiCのウエファー

SiCの水晶は切れにcutted、磨いて、SiCのウエファーは来ます。指定および細部については、ページの下で訪問して下さい。

 

SiCの結晶成長

バルク結晶成長はそれ以上の装置処理のための基盤を作る単一の結晶の基質の製作のための技術です。SiCの技術の進歩があるためには明らかに私達は再生可能なprocess.6H-のSiCの基質の生産は必要とし、4H- SiCの水晶はるつぼの実用温度が誘導の(RF)または抵抗暖房によって提供される2100-2500°C.まで高温のグラファイトのるつぼで育ちます。成長は薄いSiCの種で行われます。源は多結晶性SiCの粉充満を表します。グロース チャンバのSiCの蒸気は3つの種、搬送ガスによって薄くなる即ち、Si、Si2CおよびSiC2から主に、例えば、アルゴン成っています。SiCの源の進化は気孔率および微粒の直径の時間両方変動および粉の微粒の黒鉛化を含んでいます。

 

SiCのepiのウエファー

私達は効率よく装置またはテストの目的のための最高品質のエピタキシアル構造を作り出してもいいです。(SiC)炭化ケイ素エピタキシアル ウエファーが慣習的なSiのウエファーと比べて多くの利点を提起する、私達低速1014添加の非常に大きい範囲のepiの層をからのより多くの情報のための1019 cm3に集中1E15/cm3の提供できます。

 

SiCの結晶構造

polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造があります。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCです。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられます

sicの結晶の欠陥

SiCで観察された欠陥のほとんどはまた他の結晶材料で観察されました。転位、積み重ね欠陥(SFs)、低い角度の境界(LABs)および双生児のように。ある他はIDBsのような弾丸音のブレンドかウルツ鉱構造を、持っている材料で現われます。他の段階からのMicropipesそして包含はSiCで主に現われます。

 

SiCの水晶の塗布

多くの研究者は一般的なSiCの適用を知っています:III-Vの窒化物の沈殿;光電子工学装置;高い発電装置;高温装置;高周波力Devices.Butの数人は細部の塗布を、私達リストします細部を知っています 

物質的な適用およびadvantagement

•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンド ギャップ

 

適用:

•GaNのエピタクシー装置
•光電子工学装置
•高周波装置
•高い発電装置
•高温装置
•発光ダイオード

 

 
特性 4H SiCの単結晶 6H SiCの単結晶
格子変数 a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
順序の積み重ね ABCB ABCACB
Mohsの硬度 ≈9.2 ≈9.2
密度 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm。拡張係数 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
屈折の索引@750nm

= 2.61無し

ne = 2.66

= 2.60無し

ne = 2.65

比誘電率 c~9.66 c~9.66
熱伝導性の(Nタイプ、0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
熱伝導性(半絶縁)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

バンド ギャップ 3.23 eV 3.02 eV
故障の電場 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
飽和漂流速度 2.0×105m/s 2.0×105m/s
 
 
2. 物質的なサイズのdescribtion
 
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3. productes
 
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FAQ

Q:受渡し時間および質についていかに。
A:私達に厳密な質の検査システムがあります。 そしてDHL、Federal Express、あなたのによるEMSによるDeliveyは要求します 


Q:あなた商事会社または工場はですか。
A:私達に私達が制御してもいいすべてのコストを削減できるウエファー プロセス工場があります。 

Q:あなたの主要なプロダクトは何ですか。
A:サファイアのウエファー、sicの水晶ウエファーがあります。私達はまた特別な形を作り出してもいいです

 あなたのデッサンに従うプロダクト。

Q:あなたの利点は何ですか。
A:
1.価格。私達はだけでなく、商事会社です、従って私達はあなたのための競争価格を得、私達の製品品質の&price、また受渡し時間を保障してもいいです。
2.技術。私達の会社はウエファー及び光学プロダクトの作成の5年の経験があります。
3.売り上げ後のサービス。私達は私達の質を担当してもいいです。

 

郵送物及びパッケージ

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コンタクトパーソン: Wang

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