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半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度

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半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度

中国 半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度 サプライヤー
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大画像 :  半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: 4inch--半高い純度

お支払配送条件:

最小注文数量: 1pcs
価格: by required
パッケージの詳細: 、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
受渡し時間: 15days
供給の能力: 100pcs/months
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詳細製品概要
材料: sicの水晶 産業: 半導体ウエハー
アプリケーション: 、装置導かれる、半導体パワー エレクトロニクス、5G 色: 青、緑、白
タイプ: 4H、6Hは、添加された、高い純度添加しませんでした

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SiCの水晶基質およびウエファーの適用

炭化ケイ素(SiC)のcrytsalsに独特で物理的な、電子特性があります。炭化ケイ素の基づいた装置は短波の光電子工学のために、高温、放射の抵抗力があるapplciations使用されました。SiCとなされる強力な、高周波電子デバイスはSiおよびGaAsによって基づく装置より優秀です。SiCの基質のある普及した適用は次あります。

 

高温装置

SiCに高い熱伝導性があるので、SiCは熱を他の半導体材料より急速に散らします。これはSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動することを可能にし、まだ装置から発生する多量の余分な熱を散らします。

 

高周波力装置

SiCベースのマイクロウェーブ電子工学は無線コミュニケーションおよびレーダーのために使用されます。

 

III-Vの窒化物の沈殿

GaN、AlxGa1 xNおよびSiCの基質またはサファイアの基質のInyGa1-yNのエピタキシアル層。

SiCの型板のガリウム窒化物のエピタクシーが青い発光ダイオード(青いLED)およびおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターを製造するのに使用されています

 

光電子工学装置

SiCによって基づく装置はIII窒化物のエピタキシアル層の低い格子不適当な組み合わせを備えています。それらに高い熱伝導性があり、燃焼プロセスの監視と各種各様の紫外線検出のために使用することができます。

SiCベースの半導体デバイスは高温、高い発電および高い放射の状態のような非常に敵の環境の下で、働くことができます。

 

高い発電装置

SiCに次の特性があります:

広いエネルギーBandgapの高い電気故障分野    

高い飽和漂流速度の高い熱伝導性

 

SiCはダイオード、力のtransitorsおよび高い発電マイクロウェーブ装置のような非常に高圧および強力な装置の製作のために使用されます。慣習的なSi装置と比較されて、SiCベースの力装置により速い切り替え速度のより高い電圧、小型より低い寄生抵抗が高温機能がより少なく冷却の必須の原因であります。

SiCにSiC装置がGaAsかSiより高い発電密度で論理上作動できるGaAsまたはSiの意味より高い熱伝導性があります。高い発電が主好ましい装置特徴のとき広いbandgapと結合されるより高い熱伝導性および高く重大な分野はSiCの半導体に利点を与えます。

 

現在炭化ケイ素(SiC)は高い発電MMICのために広く利用されています

適用。SiCはまた高い発電MMIC装置のためにGaNのエピタキシアル成長のために基質として使用されます

 

 

2. 標準の基質のサイズ

4インチ(直径)の高い純度4Hの炭化ケイ素の基質の指定

基質の特性

生産の等級

研究の等級

模造の等級

直径

100.0 mm +0.0/-0.5mm

表面のオリエンテーション

{0001} ±0.2°

第一次平らなオリエンテーション

<11->20> ± 5.0の̊

二次平らなオリエンテーション

第一次± 5.0の̊、上向きケイ素からの90.0 ̊ CW

第一次平らな長さ

32.5 mm ±2.0 mm

二次平らな長さ

18.0 mm ±2.0 mm

ウエファーの端

小さな溝

Micropipe密度

≤5 micropipes/のcm2

≤10micropipes/のcm2

≤50 micropipes/のcm2

高輝度ライトによるPolytype区域

どれも割り当てませんでした

≤10%区域

抵抗

≥1E5 Ω·cm

区域75% ≥1E5 Ω·cm

厚さ

350.0 μmの± 25.0のμmまたは500.0 μmの± 25.0のμm

TTV

10μm

15のμm

絶対値

25のμm

30のμm

ゆがみ

45のμm

表面の終わり

二重側面のポーランド語、Siの表面CMP 化学薬品の磨くこと

表面の粗さ

CMP Siの表面Ra≤0.5 nm

N/A

高輝度ライトでひび

どれも割り当てませんでした

拡散照明による端の破片/刻み目

どれも割り当てませんでした

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

総使用可能な区域

≥90%

≥80%

N/A

パッケージ:、25pcsのカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

                   または窒素の大気の下の単一のウエファーの容器。

 

*Theは顧客の要求に従って他の指定カスタマイズすることができます

 

3. 映像

 

半絶縁の炭化ケイ素の基質、Sicのウエファー4Hの高い純度

 

FAQ:

Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。

A:(1)私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れます。

(2)あなた自身の明白な記述があれば、大きいです。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができます。

貨物は実際の解決に従ってあります

Q:支払う方法か。

A:100%T/T、Paypal、安全な支払および保証の支払。

 

Q:あなたのMOQは何ですか。

A:(1)目録のための、MOQは2pcsです。

(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは25pcsです。

 

パッキング及び配達

 

包装 プロダクト→のクリーン ルームの単一のウエファー カセットか25箱のPC箱
パッケージのための内部のパッキング→の泡のプラスチック反振動クッションはさみ金
外のパッキング→は5つの層カートンの紙箱をまたは要求に応じて波形を付けました
出荷 空気→ UPS、DHL、Federal Express、TNT、EMS、SF、等によって
 

連絡先の詳細
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

コンタクトパーソン: Wang

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)