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ウェーファー結合装置 室温 ボンドイン 水素性結合

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April 15, 2025
カテゴリー接続: 半導体装置
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このシステムは,特にシリコンカービッド (SiC) 電力装置の製造のために設計された高級結合装置で,2~12インチワッフル仕様に対応しています.システムには,室温での直接結合と表面活性化結合技術が組み込まれています, SiC-SiCおよびSiC-Si異質結合プロセスに特別な最適化.
札:
#4インチSiCインゴット成長炉 #8インチSiCインゴット成長炉 #6インチSiCインゴット成長炉
報告書: 2～12インチのSi-SiCおよびSi-Siウェーハの室温および親水性接合用に設計された、高度なウェーハ接合装置をご覧ください。このハイエンドシステムは、超高精度光学アライメント、クローズドループ温度/圧力制御を特徴とし、パワー半導体デバイス製造のためのさまざまな接合プロセスをサポートしています。
関連製品特性:
  • 2〜12インチのウエフルの直接結合とプラズマ活性結合をサポートする.
  • ±0.5 μm以下の精度での超高精度光学アライメント。
  • 精密調整可能な圧力制御 0〜10 MPa
  • 室温～500℃の温度範囲、オプションで予熱/アニーリングモジュール付き。
  • 超高真空環境 (≤5×10−6 Torr) で汚染物質のない結合を行う.
  • 産業グレードのタッチHMI、≥50の保存されたプロセスレシピを搭載。
  • 安全のための三重インターロック保護（圧力/温度/真空）。
  • オプション ロボット式ウエファー処理と SECS/GEM通信プロトコルサポート
よくある質問:
  • 温室温帯のワッフル結合は 熱結合に比べて どんな利点があるのでしょうか?
    室温接合は熱応力と材料劣化を防ぎ、高温制限なしに異種材料（例：SiC-LiNbO₃）の直接接合を可能にします。
  • 室温のワファー結合技術を使って 結合できる材料は?
    半導体 (Si, SiC, GaN),酸化物 (LiNbO3, SiO2),金属 (Cu, Au) の結合をサポートし,MEMS,3DICおよび光電子統合に最適です.
  • ウェーハ接合装置はどのような用途に適していますか？
    MEMSデバイスパッケージング,CIS画像センサー,3DIC統合,複合半導体デバイス,バイオチップ製造に最適です
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