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ウェーファー結合装置 室温 ボンドイン 水素性結合

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April 14, 2025
キーワード: 半導体装置
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札:
#4インチSiCインゴット成長炉 #8インチSiCインゴット成長炉 #6インチSiCインゴット成長炉
ビデオ説明:
2～12インチのSi-SiCおよびSi-Siウェーハの室温および親水性接合用に設計された、高度なウェーハ接合装置をご覧ください。このハイエンドシステムは、超高精度光学アライメント、クローズドループ温度/圧力制御を特徴とし、パワー半導体デバイス製造のためのさまざまな接合プロセスをサポートしています。
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