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高精度片面研磨装置

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August 14, 2025
キーワード: 半導体装置
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札:
#4インチSiCインゴット成長炉 #8インチSiCインゴット成長炉 #6インチSiCインゴット成長炉
ビデオ説明:
超高精度単面磨き装置を Si ウェーファー,SiC,サファイア材料のために設計しました.平らさ ≤0.01 mm,粗さ Ra ≤0.4 nm の超高表面仕上げを達成します.半導体用には理想的です光学およびセラミック用品
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