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高精度片面研磨装置

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August 15, 2025
カテゴリー接続: 半導体装置
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札:
#4インチSiCインゴット成長炉 #8インチSiCインゴット成長炉 #6インチSiCインゴット成長炉
報告書: 超高精度単面磨き装置を Si ウェーファー,SiC,サファイア材料のために設計しました.平らさ ≤0.01 mm,粗さ Ra ≤0.4 nm の超高表面仕上げを達成します.半導体用には理想的です光学およびセラミック用品
関連製品特性:
  • シリコンウェーハ、炭化ケイ素、サファイアなどの硬くて脆い材料に特化しています。
  • 表面の表面表面化が超高水準で,平らさは0.01mm,荒さはRa ≤0.4nmです.
  • 単品加工とバッチ処理の両方をサポートし,効率を向上させます.
  • 安定性のために鋳造・鍛造構造を組み込んだ高硬度フレームを備えています
  • ドイツSEWや日本THKなどの国際コンポーネントを使います
  • プリセットレシピとリアルタイムモニタリング用の10インチ産業用タッチスクリーン。
  • 柔軟な配置で,磨きディスクのサイズは φ300 mm から φ1900 mm です.
  • 半導体、光学、電子工学、航空宇宙産業で広く使用されています。
よくある質問:
  • あなたの高精度片面研磨装置の主な利点は何ですか？
    半導体製造におけるシリコンウェーハ、SiC、サファイアに理想的で、高効率でサブミクロン精度を実現します。
  • この片面研磨機で処理できる半導体材料は何ですか？
    シリコンウェーハ、炭化ケイ素（SiC）、およびサファイア基板向けに特別に設計されています。
  • この 磨き 装置 は どの 産業 に 益 を もたらし ます か
    その精密さと汎用性から、半導体、光学、電子機器、航空宇宙産業が恩恵を受けています。
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