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Silicon Carbide Ceramic Tray for LED Wafer Epitaxy and ICP Etching Processes

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November 17, 2025
カテゴリー接続: 陶磁器の基質
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札:
#アルミナの陶磁器の基質 #aln の陶磁器の基質 #陶磁器炭化ケイ素
報告書: Join us for a close-up look at the Silicon Carbide Ceramic Tray, designed for LED wafer epitaxy and ICP etching processes. Discover its high thermal stability, mechanical strength, and chemical resistance in action.
関連製品特性:
  • High Thermal Stability: Maintains performance at extreme temperatures up to 1650°C.
  • Mechanical Strength: High hardness and load-bearing capacity prevent deformation or cracking.
  • Chemical Resistance: Withstands strong acids, alkalis, and corrosive chemicals.
  • Thermal Conductivity: Efficient heat transfer for uniform processing temperatures.
  • Low Thermal Expansion: Ensures dimensional stability under thermal cycling.
  • Electrical Insulation: Provides reliable insulation for electronic applications.
  • CVD Coating Options: Available for enhanced wear resistance and thermal shock protection.
  • Customizable Sizes & Shapes: Supports specific process requirements in various industries.
よくある質問:
  • What industries commonly use the Silicon Carbide Ceramic Tray?
    The tray is widely used in semiconductor manufacturing, advanced ceramics production, chemical processing, electronics, aerospace, automotive, and medical device fabrication.
  • What are the key advantages of using this SiC ceramic tray?
    The tray offers high purity, chemical inertness, stable mechanical properties under extreme conditions, excellent wear resistance, and lightweight durability.
  • Can the Silicon Carbide Ceramic Tray be customized?
    Yes, the tray can be customized in sizes and shapes to meet specific process requirements, including optional CVD coatings for enhanced performance.
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