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LEDおよびレーザーダイオードアプリケーション用の2インチのZnドープガリウムヒ素(GaAs)ウェハ

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December 29, 2025
カテゴリー接続: GaAsのウエファー
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#インジウムのヒ化物のウエファー #gaasのウエファー #laalo3基質
報告書: この高性能半導体材料が他の選択肢とどう違うのか気になりますか?このビデオでは、2 インチの Zn ドープガリウムヒ素 (GaAs) ウェハの詳細なウォークスルーを提供し、その主要な特性と製造プロセスを紹介します。 VGF 結晶成長法と亜鉛ドーピングが安定した p 型特性を実現し、LED、レーザー ダイオード、光電子デバイスの製造に最適であることがわかります。また、研究環境と生産環境の両方で信頼性の高いパフォーマンスを保証するウェーハの研磨面、方向のオプション、品質管理についても説明します。
関連製品特性:
  • 高品質の結晶構造を実現する垂直勾配凍結 (VGF) 結晶成長法を使用して製造されています。
  • 亜鉛ドーピングにより、安定した均一な p 型電気特性が得られ、信頼性の高いデバイス性能が実現します。
  • (100) 結晶方位が特徴で、2°、6°、または 15° オフ (110) 方位ずれのオプションがあります。
  • (0.3 - 1.0) × 10¹⁸ cm⁻³ の範囲で制御されたキャリア濃度を提供し、一貫した電気特性を実現します。
  • ≤ 5,000 cm⁻² の低いエッチピット密度と 1,500 ～ 3,000 cm²/V*s の高いホール移動度を実現します。
  • 高度な加工のために平坦度、反り、反りを厳密に制御した研磨表面仕上げ (P/P または P/E) が含まれます。
  • オプションのオリエンテーションフラット、ノッチ構成、および柔軟な識別のための裏面レーザーマーキングをサポートします。
  • 粒子汚染が少ないMBEまたはMOCVDエピタキシャル成長プロセスでの直接使用に適しています。
よくある質問:
  • このGaAsウェハはLEDやレーザーダイオードの製造に適していますか?
    はい。 Zn ドープの p 型電気特性は、(100) 配向と制御されたキャリア濃度と組み合わされて、LED およびレーザー ダイオードの製造における安定した発光と一貫したデバイス性能をサポートします。
  • このウェーハはそのままエピタキシャル成長に使用できますか?
    はい。ウェーハは、研磨された表面、低粒子汚染、厳密な平坦度制御が施された状態で供給されるため、MBE または MOCVD エピタキシャル成長プロセスで直接使用できます。
  • さまざまなプロセス要件に合わせてウェーハ仕様をカスタマイズできますか?
    はい。オリエンテーションフラット、ノッチ構成、裏面レーザーマーキング、表面仕上げ、選択された電気パラメータなどのオプションは、特定の装置やプロセスのニーズを満たすために、リクエストに応じて調整できます。
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