低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー

低いEPDの2inch 3inch 4inch 6inch NのタイプGEのゲルマニウムのウエファー

GEのウエファー

ゲルマニウムは半導体デバイスおよび赤外線光学装置を作るための材料である。それは固体物理学およびソリッド ステート電子工学の開発の重要な役割を担う。ゲルマニウムに5.32g/cmの溶ける密度が3ある、ゲルマニウムは薄い分散させた金属、ゲルマニウムの化学安定性として分類される空気か水蒸気と室温で相互に作用していない、600~700 ℃で、ゲルマニウムの二酸化物はすぐに発生する。塩酸、希薄な硫酸を使用しない。集中された硫酸が熱される場合、ゲルマニウムはゆっくり分解する。硝酸および水のregiaでは、ゲルマニウムは容易に分解する。ゲルマニウムに対するアルカリ解決の効果は非常に弱い、しかし空気の溶解したアルカリはゲルマニウムをすぐに分解させることができる。ゲルマニウムはカーボンを使用しない、従ってグラファイトのるつぼで溶け、カーボンによって汚染されない。ゲルマニウムによい半導体の特性が、電子移動度のような、正孔移動度等ある。ゲルマニウムの開発にまだ大きい潜在性がある。

指定

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成長方法

ゲルマニウムの基質の成長方法は次のステップから成り立つ:支持の基質を提供して、支持の基質は水晶材料である;最初のゲルマニウムの水晶層は支持の基質の表面の最初温度のエピタクシーによって育つ。第2ゲルマニウムの水晶層は最初のゲルマニウムの水晶層の表面の第2温度のエピタクシーによって育ち、最初の温度は第2温度より低い。現在の発明の利点はゲルマニウムの層の層、低温の成長のゲルマニウムのエピタキシアル成長率である低温の低く、二次元の成長の特徴完全な弛緩、ゲルマニウムの層のこの薄層持っている傾向がある多くの欠陥を重点を置くべき緩められて一種の低温のゲルマニウムのエピタキシアル成長プロセスを、まず最初に提言すること、であり、転位の絶滅は、続いて、そして高温成長のゲルマニウムのエピタキシアル層の層、高い水晶固まりとの層の成長の速度、単結晶のゲルマニウムの層および完全な弛緩得ることができる。