ホーム製品

リン化インジウムのウエファー

すべての製品

ガリウム窒化物のウエファー (35)

サファイアのウエファー (88)

SiCの基質 (132)

サファイア光学Windows (77)

ICのシリコンの薄片 (22)

総合的なサファイア棒 (13)

石英ガラスの版 (40)

サファイアの部品 (114)

総合的な宝石用原石 (72)

半導体装置 (55)

LiNbO3ウエファー (18)

GaAsのウエファー (24)

リン化インジウムのウエファー (34)

陶磁器の基質 (25)

実験室のラッパー (31)

オンラインです

銅熱槽基板平底ピン型高性能電子装置 Cu≥99.9%

銅熱槽基板平底ピン型高性能電子装置 Cu≥99.9%

インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチシングルクリスタル基板 N/Pタイプ半導体

ゲルミウム基板 GE 平窓光学レンズ熱画像処理紫外線スペクトロスコピー高硬度

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形

マグネシウム酸化物純度 95% MgOフィルム基板 5x5 10x10 20x20 厚さ 0.5mm 1.0mm 向き <001> <110> <111>

リン化インジウムのウエファー

(34)

銅熱槽基板平底ピン型高性能電子装置 Cu≥99.9%
連絡先

c の要約上部熱槽基板銅熱槽基板平底ピン型高性能電子装置 Cu≥99.9% コッパーヒートシンク基板は,高熱伝導性の純銅 (Cu≥99.9%) または銅合金 (C1100,C1020) 精密加工 (CNC切削) によるコア材料として, スタンプ,溶接,など). 主に高電力電子機器 (LED... 続きを読む

2025-04-14 17:37:13

インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチシングルクリスタル基板 N/Pタイプ半導体
連絡先

製品説明インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチシングルクリスタル基板 N/Pタイプ半導体インディアム・インアス (Indium InAs) は,インディアムとアルセンからなる半導体.灰色の立方結晶の外観と942°Cの融点を有する.インディアムアルセニドは,波長範囲1〜3の赤外線検出... 続きを読む

2024-12-05 11:57:01

ゲルミウム基板 GE 平窓光学レンズ熱画像処理紫外線スペクトロスコピー高硬度
連絡先

製品説明ゲルマニウム基板 GE 平窓光学レンズ熱イメージングアプリケーションと赤外線スペクトロスコピー高硬さゲルマニウム窓 (Ge) は,2〜12μmの容認スペクトル範囲を持つ化学的に惰性物質で,高硬さ,良好な熱伝導性,一般的に使用される赤外線光学材料です.水に溶けない紫外線画像システム... 続きを読む

2024-11-18 10:47:17

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形
連絡先

製品説明ゲルマニアム・ウェーファー半導体基板 < 111> 集約光伏CPV オーダーメイドサイズ形ゲルマニウムは半導体性能が良い.高純度ゲルマニウムは,P型ゲルマニウムの半導体を得るために,三価元素 (例えばインディウム,ガリウム,ボロン) とドーピングされる.半価元素 (e)N型ゲルマニウム半... 続きを読む

2024-11-18 10:47:17

マグネシウム酸化物純度 95% MgOフィルム基板 5x5 10x10 20x20 厚さ 0.5mm 1.0mm 向き <001> <110> <111>
連絡先

マグネシウムオキシド純度 95% MgOフィルム基板 5x5 10x10 20x20 厚さ 0.5mm 1.0mm 向き製品説明: 薄膜基板マグネシウムオキシド (MgO) 単結晶は高品質の基板材料で,高溶解点などの優れた物理的および化学的特性があります.低ダイレクトリ常数と損失高温超伝導性,鉄電... 続きを読む

2024-11-18 10:47:16

InPレーザーエピタキシアル・ウェーファーインディウム・フォスフィード・ウェーファー DFB/EML エピタキシアル・ウェーファーインテリジェント・センシング
連絡先

2インチ半絶縁インディアム・フォスフィード INP エピタキシアル・ウェーファー LDレーザーダイオード,半導体エピタキシアル・ウェーファー,3インチ INPウェーファー,シングルクリスタルウェーファー 2インチ 3インチ 4インチ INP基板,半導体ウエファー,INPレーザーエピタキシャルウエファ... 続きを読む

2024-09-10 15:33:01

InAsウエファードーピング Zn 2 インチインディアムアルセニードウエファーDia 50mm 厚さ 500um <100> オーダーメイド
連絡先

2インチインディアムアルセニード・ウェーファーインアスエピタキシャル・ウェーファーレーザーダイオード用InAsシングルクリスタルウェーファー 2インチ 3インチ 4インチ LDアプリケーションのためのInAs-Zn基板半導体ウエファーインディウムアルセニードレーザーエピタキシアルウエファー ... 続きを読む

2024-09-10 15:33:00

DFB ウェーファー N-InP 基板エピウェーファー活性層 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 インチガスのセンサー
連絡先

DFB ウェーファー N-InP 基板エピウェーファー活性層 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 インチガスのセンサー DFB ウェファーの N-InP 基板エピウェファーの要約 n型インディアム・フォスフィード (N-InP) 基板の分散フィードバック (DFB) ウェーファーは... 続きを読む

2024-09-10 15:33:00

DFB エピワファーインP 基板 MOCVD 方法 2 4 6 インチ動作波長 1.3 μm, 1.55 μm
連絡先

DFB Epiwafer InP 基板 MOCVD 方法 2 4 6 インチ動作波長: 1.3 μm, 1.55 μm DFB Epiwafer InP 基板の要約 DFB (Distributed Feedback) インディアム・フォスフィード (InP) 基板のエピワファーは,高性能DFBレ... 続きを読む

2024-09-10 15:33:00

FP エピワファーインプスプラート接触層 InGaAsP Dia 2 3 4 インチ OCT 1.3um波長帯
連絡先

FPエピワファー InP基板接触層 InGaAsP Dia 2 3 4インチ OCT 1.3um波長帯 FPエピワファー InP基板の要約インディウム・フォスフィード (InP) 基板のファブリ・ペロ (FP) エピワファーは,光電子機器の開発における重要な部品です.特に光通信およびセンサーアプリ... 続きを読む

2024-09-10 15:33:00

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|