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2インチ 4H-SEMI SiC

SiC基板
August 05, 2024
カテゴリー接続: SiCの基質
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2インチ 4H-SEMI SiC
札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: 4H-SEMI 炭化ケイ素（SiC）基板は、パワーエレクトロニクス、自動車エレクトロニクス、RFデバイスに最適な高性能ウェーハです。直径2インチで、厚さ350umまたは500umのオプションがあり、このプライムまたはダミーグレードの基板は、要求の厳しい用途に優れた硬度と信頼性を提供します。
関連製品特性:
  • 優れた品質と性能のために SIC モノクリスタルで作られています
  • 特定のアートワークの要件を持つカスタマイズされたデザインをサポートします.
  • 耐久性のために約9.2モースの高硬度
  • 電力や自動車の電子機器などのハイテク産業で広く使用されています
  • 各種ニーズに合わせて,プライムグレードとダミーグレードの両方で利用できます.
  • Si面CMPによる両面研磨で、滑らかな表面仕上げを実現。
  • 高品質のアプリケーションではマイクロパイプ密度 ≤5マイクロパイプ/cm2まで低くなる.
  • 独自のプロジェクト要件を満たすためのカスタマイズ可能な仕様。
よくある質問:
  • 4H-SiC Semiはどのように 質を保ちますか?
    4H-SiC半導体は、化学気相成長法（CVD）や物理的気相輸送法（PVT）などの高度な製造技術を採用し、高品質なウェーハを保証するために厳格な品質管理プロセスに従っています。
  • 4H-N SiCと4H-SEMI SiCの主な違いは何ですか？
    主な違いは、4H-N SiC (窒素ドープ) がn型半導体炭化ケイ素であるのに対し、4H-Semi SiC は非常に高い抵抗率を持つように処理された半絶縁性炭化ケイ素であることです。
  • 4H-SEMI SiC基板はカスタマイズできますか？
    4H-SEMI SiC基板は 独自のプロジェクト要件を満たすために 特定のアートワークと仕様で パーソナライズされたデザインをサポートします
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