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模造の主な等級6inchの炭化ケイ素sicのウエファー0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semiの厚さの基質

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6インチシリコンカービッド 半絶縁型 SiC複合基板 P型 N型 シングルポーチ ダブルポーチ 生産グレード

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2インチシック シリコンカービッド基板 3C-N型 50.8mm直径 生産グレード 研究グレード ダミーグレード

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5*5mm/10*10mm シリコンカービッド・ウェーファー 厚さ350μm Sic 3C-N型 高機械強度 生産グレード

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シリコン・カービッド・ウェーファー 6インチ シック シングル・クリスタル 150mm 直径 3C-N型 通信レーダーシステム用スーツ

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シリコンカービッド基板 4" Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード

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6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

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4インチシックシリコンカービッドウェーファー 6H-P型 厚さ350μm ゼロ/プライムグレード ダミーグレード

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SiC種子ウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ生産グレード

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シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm

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