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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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エピタキシアル成長処理のためのシリコーンの炭化物の皿/陶磁器の皿
4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質
8inch 6inch 4H-N sicの基質のSBD MOS装置のための模造の主な生産の等級
4inch 6inch 4H-N sicのウエファーのSBD MOS装置のための模造の主な生産の等級
2sp 4H-SEMI 4H-N SICの炭化ケイ素のウエファー10 x 10 x 0.5mm
6H-N 4H-N SiCの基質2inch 0.33mm 0.43mmの炭化ケイ素のウエファー
4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする
カスタマイズされたサイズ5x5 10x10mmのサイズ4h-n 6h-semi sicのウエファーの破片
10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SICの炭化ケイ素Wafersubstrate
4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質
高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ
SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー
無色の透明な炭化ケイ素SiCはウエファー レンズを磨いた
高い熱伝導性の抵抗Sicの量の光学のための光学ブロック レンズ
4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ
1
2
3
最終
合計 3 ページ
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4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする
カスタマイズされたサイズ5x5 10x10mmのサイズ4h-n 6h-semi sicのウエファーの破片
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3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー
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