ウェーハ薄化装置

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April 15, 2025
カテゴリー接続: 半導体装置
この装置は、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、ガリウムヒ素(GaAs)、サファイア基板を含む4~12インチの脆性半導体材料の精密な薄化を可能にし、高度なパッケージングおよびパワーデバイス製造の厳しい要件を満たすために、厚さ制御精度±1μm、全厚変動(TTV)≤2μmを達成します。
報告書: ウェーハ薄型化システム精密薄型化装置を発見。4~12インチのSiC、Si、GaAs、サファイアウェーハに対応。±1μmの厚さ制御と≤2μmのTTVを実現し、高度なパッケージングとパワーデバイス製造に貢献。SiCなどのワイドバンドギャップ半導体に最適化されています。
関連製品特性:
  • Precision thinning for 4-12inch brittle semiconductor materials including Si, SiC, GaAs, and sapphire.
  • 厚さ制御精度±1μmを達成し、TTV≤2μmを実現。
  • 多様な材料特性に対する最適化された研削パラメータと研磨プロセス。
  • 安定した性能のためのリアルタイムの自動化厚みモニタリングを統合
  • 不規則な製品のためのカスタマイズ可能な真空チャックソリューション.
  • 高精度インフィードスピンドル研削による優れた加工精度。
  • エルゴノミックなHMIと精密なZ軸制御でユーザーフレンドリーな操作
  • リアルタイムの厚み測定を備えたフルオートおよびセミオート操作モードをサポートする.
よくある質問:
  • ウェーハ薄化装置はカスタマイズに対応していますか?
    オーダーメイドのソリューションを 提供しています オーダーメイドの製品です オーダーメイドの製品です
  • ワッフル 薄める 機械 は どの よう に 厚さ 制御 の 精度 を 達成 でき ます か
    プレミアムモデルは、TTV≤1μm(レーザー干渉厚さモニタリングシステム)で、±0.5μmの厚さ均一性を実現しています。
  • What materials are compatible with the Wafer Thinning System?
    The system is compatible with 4-12inch brittle semiconductor materials including silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), and sapphire substrates.