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パワーエレクトロニクス、RFデバイス、UVオプトエレクトロニクス用4H炭化ケイ素基板

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November 20, 2025
カテゴリー接続: SiCの基質
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札:
#sicのウエファー #sicの基質 #炭化ケイ素の基質
報告書: このビデオでは、4H炭化ケイ素基板を探求し、その高純度単結晶構造と超低欠陥密度を紹介します。パワーエレクトロニクス、RFデバイス、UVオプトエレクトロニクスにおけるその応用、精密CMP研磨と熱性能をハイライト表示します。
関連製品特性:
  • 超高純度、超低欠陥密度の4H-SiC単結晶材料。
  • Ra ≤ 0.5 nm のエピタキシー対応表面を実現する精密CMP研磨。
  • 優れた熱伝導率 (490 W/m*K) と高温耐性 (最大 600 °C)。
  • 0.01～0.1 Ω*cmの抵抗率を持つ安定した電気特性。
  • ビッカース硬度28～32GPaで、高い機械的強度を持っています。
  • パワーエレクトロニクス、RFデバイス、およびUVオプトエレクトロニクスに最適です。
  • カスタマイズ可能なサイズ、厚さ、ドーピングレベルで利用可能です。
  • 研究開発、試作、小規模生産に適しています。
よくある質問:
  • 4H-SiCの主な利点は6H-SiCと比較して何ですか？
    4H-SiCは、より高い電子移動度、低いオン抵抗、および高出力・高周波デバイスにおける優れた性能を提供し、MOSFETやダイオードにとって好ましい材料となっています。
  • 導電性または半絶縁性のSiC基板を提供していますか？
    はい、パワーエレクトロニクス向けにN型導電性4H-SiC、RF、マイクロ波、UV検出器用途向けに半絶縁性4H-SiCを提供しており、ドーピングレベルはカスタマイズ可能です。
  • 基板はエピタキシーに直接使用できますか？
    はい、当社のエピ対応4H-SiC基板は、MOCVD、CVD、HVPEによるGaN、AlN、SiC層のエピタキシャル成長に適した、低欠陥密度でCMP研磨されたSi面表面を特徴としています。
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