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| ブランド名: | zmsh |
| モデル番号: | HPSI |
| MOQ: | 1pcs |
| 価格: | by case |
| 配達時間: | 中15days |
硬さ9.4色のない透明性 高純度4H-SEMI シリコンカービッド SiC 高度ポリスティング伝達性光学アプリケーション
| 資産 | 4H-SiC シングルクリスタル | 6H-SiC シングルクリスタル |
| 格子パラメータ | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 積み重ねの順序 | ABCB | ABCACB |
| モース硬さ | ≈92 | ≈92 |
| 密度 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 熱 膨張係数 | 4〜5×10〜6/K | 4〜5×10〜6/K |
| 屈折指数 @750nm |
2 は 2 です.61 ne = 2 について66 |
2 は 2 です.60 ne = 2 について65 |
| ダイレクトリ常数 | c~966 | c~966 |
| 熱伝導性 (N型,0.02オム/cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性 (半絶縁) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンドギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 断裂する電場 | 3〜5×106V/cm | 3〜5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
SiCの物理と電子特性 ガスとSiと比較
広いエネルギー帯域 (eV)
4H-SiC: 3.26 6H-SiC: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12
SiCで形成された電子機器は 高い温度で動作し 内部伝導効果に苦しむことができませんこの性質により,SiCは短波長の光を放出し検出できるので,ブルーライト発光ダイオードやほぼ太陽盲のUV光検出器の製造が可能になります..
高断裂電場 [V/cm (1000V動作) ]
4H-SiC: 2.2 x 106* 6H-SiC: 2.4 x 106* GaAs: 3 x 105 Si: 2.5 x 105
SiCは,雪崩分解を受けることなく,SiまたはGaAsより8倍以上の電圧グラデーション (または電気フィールド) に耐える.この高分解電場により 非常に高電圧の電池が作れますさらに,高電源マイクロ波装置は,電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源電源装置を非常に近くに置くことができます集積回路に高いデバイスパッキング密度を提供する.
高熱伝導性 (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 ガア: 0.5 Si: 1.5
SiCは優れた熱伝導体である.熱は他の半導体材料よりもSiCを通ってより容易に流れる.実際,室温では,SiCは他の金属よりも高い熱伝導性を有する.この特性により,SiC装置は非常に高い電源レベルで動作し,それでも生成された多余熱を大量に散布することができます.
高飽和電子漂流速度 [cm/sec (@ E ≥ 2 x 105 V/cm) ]
4H-SiC: 2.0 x 107 6H-SiC: 2.0 x 107 GaAs: 1.0 x 107 Si: 1.0 x 107
SiCデバイスは,SiCの高飽和電子漂流速度により高周波 (RFとマイクロ波) で動作することができる.
申請
*III-Vナイトリド堆積 *光電子装置
*高電力装置 *高温装置
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2 円 |
3 円 |
4 円 |
6 円 |
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ポリタイプ |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
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直径 |
50.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
100.0mm±0.5mm |
150.0mm±0.2mm |
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FAQ:
Q: 送料と費用は?
A:(1) DHL,Fedex,EMSをFOBで受け入れる.
Q: どうやって支払いますか?
A:T/T,事前に
Q: MOQは何ですか?
A: (1) 備蓄の場合は,MOQは30gです.
(2) カスタマイズされたコンメン製品では,MOQは50gです.
Q: 配達時間は?
A: (1) 標準製品については
注文後 5 営業日以内に届けます
オーダーメイド製品: 配送は注文後2〜4週間です.
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