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シリコン・ウェーファー シリコン・オン・イソレーター シリコン・半導体 マイクロ電子産業 多次元

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シリコンウエファー 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 金属コーティング材料 Au

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Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング

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半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm

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4インチシシウエファー Dia 100mm 厚さ 350um 向き <100> DSP SSP カスタマイズされたシリコンウエファー N型 P型

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6' 8' 超厚いSiO2 シングルクリスタル 10um 20um 25um 乾燥湿氧化層 0.1μm 25μm

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2" 3" FZ SiO2 シングルクリスタルICチップ 100um 200um 乾燥湿酸化層 100nm 300nm

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4' 5' SiO2 シングルクリスタルICチップ CZ方法 500um 1mm 酸化層 500nm 2μM

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ICのシリコンの薄片SSP/DSPの表面の終わり<30/Cm2の粒子1~10ohmの抵抗

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TTV<10umの6インチICのシリコンの薄片

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抵抗1のSi3Nxのコーティングのウエファー- 10ohm欠陥無し

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