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オプティカルイメージング用のコーティングされた単結晶シリコンレンズオプティカルレンズのカスタムシリコンコンポーネント

オプティカルイメージング用のコーティングされた単結晶シリコンレンズオプティカルレンズのカスタムシリコンコンポーネント

シリコン・ウェーファーシリコン・オン・イソレーターシリコン・半導体マイクロ電子産業多次元

シリコンウエファー 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ金属コーティング材料 Au

Si シリコン・ウェーファー 8インチ直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプシングルポーリングダブルポーリング

半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm

ICのシリコンの薄片

(22)

オプティカルイメージング用のコーティングされた単結晶シリコンレンズオプティカルレンズのカスタムシリコンコンポーネント
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シリコンレンズ抽象オプティカルイメージング用のコーティングされた単結晶シリコンレンズオプティカルレンズのカスタムシリコンコンポーネントコーティングシリコンレンズは,光学性能向上のために,シリコンレンズの表面に特別なフィルムでコーティングされた光学要素である.シリコン材料は赤外線帯で優れた光伝達... 続きを読む

2025-04-14 17:42:07

シリコン・ウェーファーシリコン・オン・イソレーターシリコン・半導体マイクロ電子産業多次元
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シリコン・ウェーファーシリコン・オン・イソレーターシリコン・半導体マイクロ電子産業多次元製品説明中へ半導体製造,断熱装置のシリコン(SOI) 製造技術とはシリコン層状のシリコン・インソレーター・シリコンの半導体装置基板減少する寄生体容量SOI ベースのデバイスは,シリコン接続が電気隔熱器... 続きを読む

2025-02-07 15:10:22

シリコンウエファー 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ金属コーティング材料 Au
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製品説明シリコンホイール 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ金属コーティング材料電子ビーム磁気スプッター熱抵抗蒸発コーティング金で覆われたシリコンウエファーでは,金属金子の酸化後に得られた粉末を,結合剤やその他の添加物を含む水溶液に均等に分散させる.そして水溶液にシリコン・ウエフラ... 続きを読む

2025-01-23 14:50:48

Si シリコン・ウェーファー 8インチ直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプシングルポーリングダブルポーリング
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製品説明シリコンウェーファー 8インチ直径 200mm 厚さ 700um P型 N型シングルポーリングダブルポーリングシリコンウエフルは,通常,高純度単結晶シリコン棒から切断される.高純度単結晶シリコン棒は,Czochralskiプロセスまたは浮遊ゾーンプロセスで準備される.そしてシリコン... 続きを読む

2024-12-05 09:47:34

半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm
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半絶縁 SiC 複合スプレー, Si ウェーファー, シリコンウェーファー, 複合スプレー, Si 複合スプレー, シリコンカービッドベース, P グレード, D グレード, 4 インチ, 6 インチ, 4H-SEMI コンパウンド・ウエファーについて製造のためにSiCをSi化合物ウエファー... 続きを読む

2024-08-23 16:28:06

4インチシシウエファー Dia 100mm 厚さ 350um 向き <100> DSP SSP カスタマイズされたシリコンウエファー N型 P型
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シリコン・ウェーファー,シリコン・ウェーファー,シリコン・サブストラート,シリコン・サブストラート,,,,1インチ・シリコン・ウェーファー,2インチ・シリコン・ウェーファー,3インチ・シリコン・ウェーファー,4インチ・シリコン・モノ結晶基板シリコン・モノクリスタル・ウェーバー Si ワッフルの特性 ... 続きを読む

2024-08-23 16:26:16

6' 8' 超厚いSiO2 シングルクリスタル 10um 20um 25um 乾燥湿氧化層 0.1μm 25μm
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6' 8' 超厚いSiO2 10um 20um 25um 乾燥湿氧化層 0.1μm 25μm 記述: シリコン酸化物 (シリコン酸化物) は,シリコンと酸素から構成される化合物で,様々な形態と用途があります.シリコン酸化物 (シリコン酸化物) は,シリコン表面に保護膜を形成することができます.酸素や... 続きを読む

2023-11-27 09:44:03

2" 3" FZ SiO2 シングルクリスタルICチップ 100um 200um 乾燥湿酸化層 100nm 300nm
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2?? 3?? FZ SiO2 シングルクリスタルICチップ 100um 200um 乾燥湿酸化層 100nm 300nm 製品説明: シリコンウエファーは,高温で酸化剤の存在下で炉管を通って形成され,この過程は熱酸化と呼ばれる.温度範囲は900から1まで制御されます250°C;酸化ガスH2:O2の... 続きを読む

2023-11-27 09:42:56

4' 5' SiO2 シングルクリスタルICチップ CZ方法 500um 1mm 酸化層 500nm 2μM
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4' 5' SiO2 シングルクリスタルICチップ CZ方法 500um 1mm 酸化層 500nm 2μm 記述: モノ結晶シリコンはより活性な非金属元素であり,新材料の開発の最前線にある結晶材料の重要な部分です.主な用途は半導体材料と太陽光発電の利用太陽光発電の利点はたくさんあります清潔で環境... 続きを読む

2023-11-27 09:41:57

ICのシリコンの薄片SSP/DSPの表面の終わり<30/Cm2の粒子1~10ohmの抵抗
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製品の説明: ICのシリコンの薄片は電子産業で広く利用されている半導体材料である。集積回路、トランジスターおよび他の部品を作ることを使用する。このタイプのウエファーはケイ素からなされ、通常直径の8インチである。またSi3NxおよびPECVD SIO2が腐食および他の環境影響からそれを保護することを塗... 続きを読む

2023-08-24 23:01:25

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