プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: zmkj
モデル番号: GaN-4INCH
支払いと送料の条件
最小注文数量: 1PC
価格: by case
パッケージの詳細: 100等級のクリーン ルームの単一のウエファーの箱
受渡し時間: 2-4weeks
支払条件: L/C、T/T
材料: |
GaNの単結晶 |
方法: |
HVPE |
サイズ: |
4inch |
厚さ: |
450um |
企業: |
、レーザー装置導かれる、LD探知器、 |
色: |
白い |
パッケージ: |
真空の状態による単一のウエファー カセット箱のパッケージ |
タイプ: |
nタイプ |
添加: |
si添加されるまたはun-doped |
材料: |
GaNの単結晶 |
方法: |
HVPE |
サイズ: |
4inch |
厚さ: |
450um |
企業: |
、レーザー装置導かれる、LD探知器、 |
色: |
白い |
パッケージ: |
真空の状態による単一のウエファー カセット箱のパッケージ |
タイプ: |
nタイプ |
添加: |
si添加されるまたはun-doped |
2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、
GaNの適用
GaNが装置の複数のタイプをするのに使用することができる;GaN第一次装置はLEDs、半導体レーザー、パワー エレクトロニクスおよびRF装置である。
GaNは近い紫外線スペクトルにある3.4 eVの直接bandgapのためにLEDsにとって理想的である。GaNは0.7のeVおよび6.2 eVのbandgapsがあるAlNおよびインとそれぞれ合金にすることができる。従って、この物質的なシステムは論理上発光装置のための大きいエネルギー スペクトルに及ぶことができる。実際の練習では、効率は高いインジウムの内容InGaNまたはAlGaNのエミッターのInGaNの青い装置そして減少のために最も高い。近い紫外線および青いスペクトルは蛍光体が付いている白いエミッターを作るために最適であり、この技術はLEDsが従来の光源を取り替え始めた90年代以来のずっと照明の驚くべき効率の利益に責任がある。
青い放出が付いている半導体レーザーは、通常GaNを使用して、作ることができる。これらの装置は表示のためにおよびある専門のbiomedical、切断および科学的な適用使用される。半導体レーザーはまた蛍光体が付いている白い発光装置の作成に使用することができる。LEDsと比較されて、半導体レーザーの白色光は非常に高い発電密度および高いdirectionalityを達成できる。
パワー エレクトロニクスのために、GaNベースの装置はより有効で、より小さく、より軽い力の転換プロダクトに終って高い切り替え速度、高い発電密度および低負荷の損失を達成できる。電気自動車を含むGaNベースのパワー エレクトロニクスのための多数の適用が、太陽および風カエネルギーインバーター、産業モーター コントローラー、データ センタおよび家電ある。
GaNベースのRF装置はGaNのパワー エレクトロニクスの同じ利点の多数を所有し、その上に従来の半導体より高い頻度にアクセスできる。RF装置は産業暖房、レーダーおよびテレコミュニケーションのために使用される。GaNは細胞基地局ののような高い発電密度のために特に有利である。
HVPEの技術
水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）は単結晶GaNを作り出すことができるプロセスである。それは達成することができる高い成長率のためにGaNの基質の成長のために良質使用され。このプロセスでは、HClのガスはGaClのガスを形作る液体ガリウム金属と反応する。それからGaClは約1,000 °CでNHの₃のガスとGaNの固体水晶を形作るために反応する。Etaの研究は効率よくGaNのウエファーの生産を量るために目的の私達の自身のHVPE装置を発達させた。
現在、大部分のGaNベースの装置はAlの₂ Oの₃およびSiのような外国の基質を使用する。外国の基質がある適用のためによいが、材料が沈殿すると同時に異なった欠陥をGaN装置層に置かれるために質料因。欠陥は性能を減らすことができる。
低い欠陥密度のGaNの基質は、特に、GaN装置層の沈殿のための最もよい選択を提供する。GaNの基質の使用はGaN装置の効率、出力密度および他の性能の測定基準を改善する。
指定:
| 項目 | GaN FSN | |
| 次元 | Ф 100mmの± 1mm | |
| Marcoの欠陥密度 | レベル | ≤ 2つのcm-2 |
| Bのレベル | > 2つのcm-2 | |
| 厚さ | 450 ± 25のµm | |
| オリエンテーション | C軸線（0001）の± 0.5° | |
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5°の32.0 ± 1.0mm | |
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3°の18.0の± 1.0mm | |
| TTV （総厚さの変化） | ≤30 µm | |
| 弓 | ≤30 µm | |
| 伝導のタイプ | Nタイプ | |
| 抵抗（300K） | < 0=""> | |
| 転位密度 | 5x106 cm-2よりより少し | |
| 使用可能な表面積 | > 90% | |
| ポーランド語 |
前部表面:RA < 0=""> 背部表面:良い地面 |
|
| パッケージ | 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | |
2. 私達の企業の視野
私達は企業にGaNの良質の基質および適用技術を提供する。
良質のGaNmaterialはIII窒化物の塗布、例えば長い生命および安定性が高いLDs、高い発電および高い信頼性のマイクロウェーブ装置、高い明るさおよび高性能、省エネLEDのための抑制の要因である。
- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
（2）あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 （最初の重量） + USD12.0/kg
Q:受渡し時間は何であるか。
（1） 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
Q:支払う方法か。
100%T/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証。
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは1pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-10pcsである。
それは量および技術によって決まる。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達はROHSのレポートを供給し、私達のプロダクトのためのレポートに達してもいい。
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