炭化ケイ素(SiC)基板 6インチ 8インチ レーザーカット エピタキシャル作製用

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May 29, 2024
カテゴリー接続: SiCの基質
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報告書: 6インチと8インチのサイズの先進的なシリコンカービッド (SiC) 基板を発見します レーザー切削と表軸加工のために設計されていますコストを削減する厚いエピレイヤー,合わせたドーピング,最適な機能のための複雑な構造など,カスタマイズ可能なオプションがあります.
関連製品特性:
  • シリコン・カービッド (SiC) 基板は,レーザー切削とエピタキシアル準備のために6インチと8インチサイズで利用できます.
  • 高熱伝導性 (4.9 W/mK) と優れた電気隔熱性により優れた性能が得られる.
  • 耐久性のために、5.5 MV/cmの絶縁破壊電圧と400 MPaを超える引張強度。
  • カスタマイズ可能なオプションには、厚いエピ層、バッファ層、および調整されたドーピングレベルが含まれます。
  • 表面荒さ Ra<0.5nmは高性能アプリケーションの精度を保証します.
  • 多層構造、p-n接合、埋め込み層などの複雑な構造をサポートします。
  • 輸送中の最大限の保護のため、帯電防止素材と硬質容器に梱包されています。
  • 最小注文数量は10個、供給能力は1000個/月です。
よくある質問:
  • シリコンカービッド (SiC) 基板の主要な用途は何ですか?
    SiC基質は,高品質の表軸層を通じてデバイスの性能を向上させ,パワー電子と光電子のピークです.優れた熱性や電気性があるため 大規模生産に最適です.
  • SiC基板は、出荷のためにどのように梱包されていますか?
    各基板は個別に帯電防止材で包装され、特注の硬質容器に入れられ、フォームまたは気泡緩衝材で保護されています。到着時の最適な状態を確保するために、シリカゲルパックなどの追加対策で湿度を管理しています。
  • SiC基板にはどんなカスタマイズオプションがありますか?
    カスタマイズには厚いエピレイヤー,バッファレイヤー,ドーピングレベルを調整し,多層構成やpnジャンクションのような複雑な構造が含まれます特殊な要求を満たすために6インチと8インチサイズで提供されています..