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ウェーハハンドリング用 SiC セラミックエンドエフェクター - 半導体プロセス向けの耐食性および耐熱性

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December 09, 2025
カテゴリー接続: 実験室のラッパー
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札:
#Single Tray Sapphire Parts #2inch Sapphire Wafer #Sapphire Wafer Single Packaging
報告書: 他のオプションと比較してどうなるか気になりますか?デモを見て自分で決めてください。このビデオでは、SiC セラミック エンド エフェクターの実際の動作を紹介し、高温で腐食性の半導体処理環境における正確なウェーハ ハンドリング能力を実証します。高純度 SiC 構造がクリーンルーム用途の信頼性と低粒子発生をどのように保証するかがわかります。
関連製品特性:
  • 純度99%以上の高純度炭化ケイ素(SiC)製で優れた性能を発揮します。
  • 最大 1600°C の極端な温度に耐え、高熱の半導体プロセスに最適です。
  • 酸、塩基、プラズマ環境に対する優れた耐性があり、化学的安定性を確保します。
  • 機械的強度が高く、曲げ強度が 400 MPa 以上で耐久性に優れています。
  • 低発塵設計により、クラス1-100のクリーンルーム内でも清浄度を維持します。
  • ロボットアームと互換性があり、4 インチから 12 インチのウェーハにカスタマイズ可能なサイズが利用可能です。
  • 特定のユーザーの要件を満たすために、研磨またはマットな表面仕上げを提供します。
  • ウェーハの搬送、エッチング、成膜における寸法精度と信頼性を保証します。
よくある質問:
  • SiCセラミックエンドエフェクターの材質は何ですか?
    SiC セラミック エンド エフェクターは、純度 99% 以上の高純度炭化ケイ素 (SiC) で作られており、過酷な半導体プロセス環境に対して優れた耐熱性、機械的強度、化学的安定性を提供します。
  • SiC セラミック エンド エフェクターはどのような用途に適していますか?
    ウェーハのハンドリング、エッチングや蒸着などの半導体処理、ロボットアームの統合、パッケージテストやチップソーティングに最適で、さまざまな製造段階で信頼性の高いパフォーマンスを保証します。
  • SiC セラミック エンド エフェクターはクリーンルーム環境に適合しますか?
    はい、SiC セラミック エンド エフェクターはクラス 1-100 のクリーンルームでの使用に適しており、最適な清浄度および超クリーンな半導体製造環境との互換性を保証します。
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