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SiC の もう"つの 熱い 応用 ― 全色 光波導体

2025-05-08
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SiC の もう"つの 熱い 応用 ― 全色 光波導体

 

 

3世代半導体の典型的な材料として SiCとその産業開発は 近年 春の雨の後 竹の芽のように成長していますSiC基質は,電気自動車と産業用アプリケーションで足場を確立しましたSiCは,優れた性能と継続的に進化するサプライチェーンにより,この開発の主要な推進力となっています.SiCは熱伝導性が優れている軽いパッケージでも同様の名乗電力を得ることができます.

 

 

さらに,私たちはホログラム光波導体に SiC材料の応用も観察しています.多くの主要なAR企業は,シリコンカービッド光波導体に注意を向け始めていると報告されています.

 

 

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シミコン展でのSiCフルカラー光波導体のプロモーション画像

 

 

 

なぜSiC材料はフルカラー光波導体に使えるのか?

 

 

(1) SiC は高い屈折率 を 持つ

 

SiC (2.6-2.7) の屈折率は,従来のガラス (1.5-2.0) や樹脂 (1.4-1.7) の屈折率よりも著しく高い.この素材で作る光学波導鏡は,より広い視野を提供できます.一方,この高い屈折率により,SiCは屈折光波導体内に光をより効果的に閉じ込め,それによって光のエネルギー損失を軽減し,ディスプレイの明るさを向上させます.

 

 

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ZMSHの6インチシシワフラーセミ&4H-Nタイプ

 

 

 

(2) 単層設計

 

 

理論的には,単層SiCレンズは80°を超える全彩視野を達成できるが,ガラスレンズは40°に達するには3層に積み重ねなければならない.

 

 

(3) 体重 を 減らす

 

 

単層構造により,使用された材料の量が減少します.SiC の高強度と組み合わせると,AR ガラスの総重量は著しく減少し,着用快適さを高めます..わかった

 

 

SiCレンズは,デバイスの重量を大幅に削減し,視野を拡大し,ARメガネの総重量は通常のメガネの形に近い20gの臨界点を突破します.シリコンカービッド基板のマイクロLEDディスプレイ技術は,モジュールの容量を40%圧縮することができますARメガネのディスプレイ効果を向上させる.

 

 

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ZMSHの2インチシシワフラー 4H-SEMIタイプ

 

 

 

 

(4) 散熱特性

 

 

SiC材料は優れた熱伝導性 (490W/m·K) を有し,光機械およびコンピュータモジュールによって生成される熱を波導体自体を通して迅速に伝導することができる.伝統的な鏡足の熱消散設計に頼る代わりにこの機能は,熱蓄積によって引き起こされるARデバイスの性能低下問題を解決し,同時に熱消耗効率を向上させます.

 

高熱伝導性と低ストレス切断技術が結合すれば,光学波導鏡の"虹のパターン"の問題は大きく改善できます.波導板の統合熱消耗設計と組み合わせた熱消耗問題も改善できる. 熱消耗の問題は,光学機械システムの動作温度を低下させ,

 

 

(5) 支援

 

 

SiCの機械的強度,耐磨性,熱安定性により,長時間使用中の光波導体の構造安定が保証される.特に高精度の光学部品を必要とするシナリオに適しています宇宙望遠鏡やARメガネなどです

 

上記のSiC材料の特徴は,表示効果,体積重量,熱消耗能力の観点から従来の光波導体のボトルネックを突破しました.そしてフルカラー光学波導体の分野における重要なイノベーション方向になりました..

 

 

ZMSHは高品質のシリコンカービッド (SiC) 基板を包括して 4H/6H-N型, 4H/6H-SEMI型隔熱型, 6H/4H-P型,および 3C-N型ポリタイプを供給しています.電源装置とRFチップの要求を満たす独自の結晶増殖技術と精密加工技術によって超低デфект密度 (<100/cm2) とナノスケール表面粗さ (Ra <0) を有する大直径のSiC基板 (2-12インチ) の大量生産を達成しました.2nm) で,宇宙望遠鏡の鏡やAR光学モジュールなどの高精度光学部品に特に適しています.質認証へのワッフル加工顧客が技術的な障壁を乗り越えるために,個別仕様を合わせた ワンストップソリューションを提供しています.
 


ZMSHのSiCウエーファー3C-N型:

 

 

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