SiCの水晶を育てるための高い純度の炭化ケイ素sicの粉を作り出す方法か。

01
河北Tongguangの半導体Co.、株式会社
現在、高純度の炭化ケイ素の粉を総合するための一般的な技術は主に即ち高温統合を自己広める高純度のケイ素の粉および高純度カーボン粉の高温ソリッド ステート統合を、採用する。SiCの粉の従来の自己普及の統合の高い窒素の不純物集中の問題を、河北Tongguangの半導体Co.解決するためには、株式会社は高純度の半絶縁SiCの単結晶の成長に使用することができる低い窒素の不純物集中の炭化ケイ素の粉の統合方法を発明した。この方法は高温で窒素の要素との化学反応を経る窒素の取り外しの物質を使用する。形作られた窒化物は効果的に炭化ケイ素の格子に入ることからの窒素の不純物を避ける炭化ケイ素の統合の温度較差内の安定した形態に、ある。それは炭化ケイ素の原料の現在の従来の統合方法を突破し、高純度の半絶縁SiCの単結晶の成長のために特に適している2 ×の下で低い窒素の窒素の内容が付いている満足な炭化ケイ素の原料の統合を、1016 pieces/cm3達成する。

現在、SiCの水晶を育てるための最も有効な方法は物理的な蒸気輸送（PVT）方法であり、昇華システムで形作られる水晶にそれらに主要な商業大量生産の技術をするより低い欠陥のレベルがある。SiCの水晶を、成長装置育てるのに、PVT方法を使用するときグラファイトの部品および絶縁材は窒素の不純物によって汚染されることを避けることができない。これらの材料は育ったSiCの水晶の窒素の不純物の高い内容に終って多量の窒素の不純物を、吸着する。
現在、商業的に作り出される高純度SiCの粉の原料の純度は1016 units/cm3のレベルが真剣にそれに続くプロダクト-高純度の半絶縁の炭化ケイ素の単結晶の窒素の内容に影響を与える大抵5%の×の窒素の内容との99.999%しか、達しない一般にことができる。従って、粉の原料の窒素の不純物内容を減らすことは高純度の半絶縁の炭化ケイ素の水晶の準備のための大きな意味である。次、Tianyanchaによって表われる複数の有名な企業のパテント情報に基づいて高純度の炭化ケイ素の粉の準備のための関連した技術はもたらされる。

この方法は次のステップが含まれている:
（1）組合せケイ素の原料および完全のカーボン原料;
（2）はケイ素の原料およびカーボン原料の混合物に窒素の取り外しの物質を加え、次に反作用の部屋で窒素の取り外しの物質およびカーボン ケイ素の混合物の原料を含んでいるるつぼを置く;るつぼ材料は99.9995%の純度の高純度のグラファイト、である;
（3）真空反作用の部屋の酸素そして窒素の内容を減らす反作用の部屋;
（4）は反作用の部屋を熱し、温度を上げ、そして窒素の取り外しの物質を窒素の要素と反応させる2400 ℃の下で分解しない窒化物の固体またはガスの形態を形作る;
（5）は反作用の部屋に不活性ガスを注入したり、次第に反作用の部屋の温度を増加するために、カーボンに原料およびケイ素を原料室温に、次第に涼しい反応させる反作用を終えるために反作用の部屋の圧力を、維持する;
（6）は得られた炭化ケイ素から低い窒素の満足な炭化ケイ素の原料を得るために窒化物を取除く。

02
北京Tankblueの半導体Co.、株式会社
Tianke Hedaは低い窒素の満足な炭化ケイ素の粉および炭化ケイ素の単結晶のための準備方法を発明した。準備方法は次のステップが含まれている:混合の高純度のケイ素の粉、高純度のグラファイトの粉および揮発高純度の有機物、および揮発高純度の有機物が不活性大気の下でに最初の固まりの10%以下蒸発するようにすること。混合された材料は低い窒素の満足な炭化ケイ素の粉を得るために焼結する。発明は揮発および高純度の有機化合物それによりプロダクトの窒素の内容を減らす炭化ケイ素の粉の準備の間に原料および粒界の表面から窒素を取除くのに使用する。実験結果は炭化ケイ素の粉および単結晶の窒素の内容が5 ×よりより少し1016 pieces/cm3であることを示す。

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Zhongdianの化合物半導体Co.、株式会社
Zhongdianの化合物半導体Co.、株式会社は下記のものを含んでいる炭化ケイ素の粉のための統合方法を発明した、:混合の高純度カーボン粉および高純度のケイ素の粉、およびグラファイトのるつぼにそれらに荷を積むこと。グラファイトのるつぼはfluorinatedグラファイトと並び、グラファイトのるつぼは炉キャビティに置かれる;炉の部屋の温度を上げれば、熱するプロセスの間に、水素の混合物および不活性ガスは炉の部屋にもたらされ、fluorinatedガスを解放するためにfluorinatedグラファイトのライニングは分解する;高純度のケイ素の粉と中間プロダクトを得るために反応する高純度カーボン粉は炉の部屋によりからガスを得なさい;中間段階プロダクトを炭化ケイ素の粉を反応させ、発生させるためにもたらすように炉の部屋の温度を上げなさい。炭化ケイ素の粉を総合するために方法を提供することによって、高純度の炭化ケイ素の粉は得ることができる。

04
山東SICCは先端技術Co.、株式会社を
進むTianyueは下記のものを含んでいる炭化ケイ素の粉を準備するための装置そして方法を発明した、:炉ボディの中に取付けられて仕切り板が炉ボディ。仕切り板が閉鎖しているとき、炉ボディの中の部分は2部に分けられる;仕切りが開くとき、炉ボディは内部的に接続される;電極の表面はカーボン源の原料で少なくとも部分的にカバーされる;炉ボディの中に置かれるるつぼ;るつぼおよび電極は電極がるつぼに入るか、または去るように相対的な変位を経る。ケイ素の源の原料の溶けるプロセスの間に浸炭窒化の原料で粉の成長に影響を与え、粉の成長の質を改善する暖房および結晶化の間にケイ素の液体の蒸発を避ける炉のケイ素の源の原料そして浸炭窒化の原料を分けるのに、仕切りが使用されている。この方法は炭化された原料でケイ素の源の原料および結晶化の溶けるプロセスの間に開始を制御するか、または得られた粉の低い窒素の不純物内容そして他の不純物内容に終って仕切りの閉鎖によってケイ素の液体の蒸発を、防ぐことができる。それは高純度の炭化ケイ素の水晶の準備に使用することができる。