第三世代の半導体について学びなさい!GaN

2023-02-15

私]

GaN力装置の開発のために、市場の需要の牽引は重大である。電源そしてPFC （力率訂正）（2020年に市場を支配する）の分野から、UPS （無停電電源装置）およびモータードライブへ、多くの適用分野はGaN Si力装置の特徴から寄与する。

これらの適用、純粋な電気自動車（EVに加えて）ことをYole Developpementの市場研究の会社は、信じるおよびハイブリッドカー（HEVs）はまた2020年後にこれらの新しい材料および装置を採用し始める。市場規模の点では2020年に約$600，000,000に達するために、GaN装置市場の全面的なサイズは本当らしい。その当時、6インチのウエファーは約580,000 GaNsを処理できる。2018年か2019年からのGaNを採用するEVおよびHEVの概念に従ってGaN装置の数は2016年からかなり増加し、2020年までの80% （CAGR）の平均年間成長率で育つ。

5G技術の漸進的な成熟およびRFの前部分の破片の市場に持って来られて機会がRFの電力増幅器（RF PA）のための要求は酸化物の半導体（LDMOSを含んで、従来の金属によって酸化させた半導体（横に拡散させた金属将来育ち続ける;LDMOSに低価格があり、強力な性能の利点）プロセスはより多くの部品およびより高い頻度を要求する5G技術のガリウム窒化物（GaN）と次第に、特に取替えられる。さらに、ガリウム砒素（GaAs）は比較的着実に育つ。新しいRFの技術をもたらすことによって、RF PAはGaNのRF PAが3Wより多くの出力電力の主流の加工技術になる、LDMOSの市場占有率は次第に減る新しいプロセスの技術と実現され。

5G無線統合および建築進歩を達成するために5G技術がミリメートル波の頻度および大規模なMIMO （Multi-Input Multi-Output）のアンテナ塗布をカバーするので大きいMIMOおよびミリメートル波（mmWavを採用する方法を大規模に将来か。e）帰りシステムは開発へキーである。、ガリウム窒化物（GaN）が条件、すなわち、GaNの市場を持っているより潜在的な商機を満たす強力な、高性能高密度無線周波数の部品のための要求が高い5G頻度原因で増加した。

ガリウム窒化物（

GAN）はである何【3の】か。

GaNの文書の研究そして適用は全体的な半導体の研究の最前線そしてホットスポットである。それはマイクロエレクトロニック装置および光電子工学装置の開発のための新しい半導体材料である。SICとともに、ダイヤモンドおよび他の半導体材料のそれはGaAsのGEおよびSiの半導体の第一世代として材料、第二世代およびINP知られている。合成の半導体材料の後の第三世代の半導体材料。それに広い直接bandgaps、強い原子結束、高い熱伝導性、よい化学安定性（ほとんどあらゆる酸によって腐食しない）および強い放射抵抗がある。それに光電子、高温および強力な装置および高周波マイクロウェーブ装置の適用のための広い見通しがある。

ガリウム窒化物（GAN）は第三世代の半導体材料の典型的な代表である。T=300Kで、それは半導体の照明の発光ダイオードの中心の部品である。ガリウム窒化物は人工的な材料である。ガリウム窒化物の自然な形成のための条件は非常に粗い。それは高温およびほぼ10,000大気圧の2,000度以上実際のところ達成してが不可能である金属ガリウムおよび窒素が付いているガリウム窒化物を総合する取る。

言うまでもなく、一世の半導体材料は主にデータ計算および貯蔵の問題を解決するケイ素である、;第二世代の半導体はによって光ファイバーコミュニケーションに加えられる解決するガリウム砒素、主にデータ伝送の問題を表される;第三世代の半導体は電気および光学転換で突然の性能があるガリウム窒化物によって表される。それはマイクロウェーブ信号伝達でより有効である、従って照明、表示、コミュニケーションおよび他の分野で広く利用される。1998年に、アメリカの科学者は最初のガリウム窒化物のトランジスターを発達させた。

ガリウム窒化物（

GAN）の高性能の【4の

】の特性:主に高出力力、高い発電密度、高い働く帯域幅、高性能、小型、軽量を、等現在含んでいる、第1の出力電力のおよび第二世代の半導体材料は限界に達し、GaNの半導体は容易に10回までにアンテナ単位のレベルの伝達力を高める熱安定性の性能の利点による高い働く脈拍幅および高い働く比率を達成できる。

高い信頼性:力装置の生命は温度と密接に関連している。より高い温度の接続点、より低い生命。GaNの文書に高温接続点および異なった温度で装置の適応性そして信頼性を非常に改善する高い熱伝導性の特徴がある。GaN装置は650°C.の上の軍装置で使用することができる。

安価:GaNの半導体の適用は効果的に送信のアンテナの設計を改善し、アンプ、等の放出部品そして一連の数を減らし、効果的にコストを削減できる。現在、GaNは新しいレーダーおよび妨害機のためのT/R （受信機/）モジュールの電子デバイス材料としてGaAsを取り替え始めた。米国の軍隊のAMDR （段階的に行なわれるソリッドステート活動的-配列のレーダー）の次世代はGaNの半導体を使用する。高い帯域幅、高い絶縁破壊電圧、高い熱伝導性、高い電子飽和漂流の速度、強い放射抵抗およびよい化学安定性のガリウム窒化物の優秀な特性はそれに理論の最も高い電気光学および光電変換効率の物質的なシステムをこれまでのところし、広分光、強力なおよび高性能のマイクロエレクトロニックになることができる。、パワーエレクトロニクスの主基本原料、光電子工学および他の装置。

GaNの広い帯域幅（3.4eV）およびサファイア材料は高い発電の条件の下で装置の操作を促す、よい熱放散の性能がある基質として使用される。グループIIIの窒化物材料および装置の連続的な深まる研究開発によって、GaInNの超高度の青いライトおよび緑LEDの技術は商業化された。世界中の今主要な会社そして研究所はBlu-ray LEDsの開発のための競争に重く投資した。

ガリウム窒化物の

【Vの】の塗布

私達にいつでも連絡しなさい



86-1580-1942596



eric_wang@zmsh-materials.com



Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国

8615801942596

eric406337393

eric_wang@zmsh-materials.com