SiCのエピタキシアル ウエファーの生産そして適用

SiCの炭化ケイ素は高温に、高周波、強力な、および高圧作成のための理想的な材料の1つ装置のケイ素要素で構成される化合物半導体材料であるおよびカーボンの。

      従来のケイ素材料（Si）と比較されて、炭化ケイ素（SiC）のbandgapの幅はケイ素の3回である;熱伝導性はケイ素の4-5回である;絶縁破壊電圧はケイ素の8-10回である;電子飽和漂流率はケイ素の2-3回である。

炭化ケイ素の原料の中心の利点は反映される:
1）高圧耐性:より低いインピーダンス、より広いbandgap、より小さい製品設計および高性能に終ってより大きい流れおよび電圧に、抗することできる;
2）高周波耐性:SiC装置に効果的により高い頻度およびより速い切り替え速度のために適した部品（およそ3-10回Siの）の切り替え速度を改善できる操業停止プロセスの間に現在に引きずることがない、;
3）高温抵抗:SiCにケイ素と比較されるより高い熱伝導性があり、高温で作動できる。

     プロセス フローの観点から;SiCの粉は結晶化、処理、切断、粉砕、磨くこと、およびクリーニング プロセスを最終的に基質を形作る経る。基質はエピタキシアル ウエファーを得るためにエピタキシアル成長を経る。エピタキシアル ウエファーは写真平版、エッチング、イオン・インプランテーションおよび沈殿のようなステップによる装置に製造される。

    ウエファー ダイスに、パッケージを装置切り、特別な包装のモジュールにそれらを組み立てなさい。産業鎖は上流の基質およびエピタキシアルの、半ば装置およびモジュールの製造業および下流の末端の適用を含んでいる。

     力装置は電気性能の相違に基づいて2つの部門に炭化ケイ素の分けられ新しいエネルギー車、光起電発電、柵の運輸および5Gコミュニケーションのような分野で広く利用されている作った。異なった電気特性に従って、装置は2つのタイプの炭化ケイ素装置のための異なった末端の適用分野が付いている伝導性の炭化ケイ素力装置そして半絶縁の炭化ケイ素装置に炭化ケイ素材料の分けられる、作った。

     伝導性の炭化ケイ素力装置は伝導性の基質で成長の炭化ケイ素のエピタキシアル層主になされ、炭化ケイ素のエピタキシアル ウエファーをそれらをこれからのプロセスを得る。変化はショットキー ダイオード、MOSFETs、IGBTs、等を含んでいる。それらは電気自動車、光起電発電、柵の運輸、データ センタ、および充満のような下部組織の構造で主に使用される。

半絶縁の炭化ケイ素は半絶縁の炭化ケイ素の基質で成長ガリウム窒化物のエピタキシアル層RF装置を炭化ケイ素基づいたガリウム窒化物のエピタキシアル ウエファーを得させる基づかせていた。これらの装置は主に5Gコミュニケーション、車コミュニケーション、国防の塗布、データ伝送および大気および宇宙空間に使用するHEMTおよび他のガリウム窒化物RF装置を、含んでいる。