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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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> プロダクト > GaAsのウエファー >
6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度
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6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度

起源の場所 中国
ブランド名 zmsh
証明 ROHS
モデル番号 6INCH GaAsのウエファー
プロダクト細部
材料:
モノクリスタルGaAs
企業:
semicondutorのウエファーldのためのまたは導かれる
適用:
半導体の基質は、破片、光学ガラスの窓、装置基質を導いた
方法:
CZ
サイズ:
2inch~6inch
厚さ:
0.675mm
表面:
cmp/エッチングされる
添加される:
Si添加される
MOQ:
10PCS
ハイライト: 

VGF方法ガリウム砒素の基質

,

NのタイプGaAsの基質

,

2度GaAs Epiのウエファー

製品の説明

675um SSP DSP GaAsのウエファーを離れた2inch 3inch 4inch 6inch VGF方法Nタイプのun-doped GaAs基質2degree
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

GaAsのウエファー(ガリウム砒素)はずっと半導体工業で展開しているケイ素へ有利な代わりである。このGaAsのウエファーによって提供されるより少ないパワー消費量およびより多くの効率はそれによりGaAsのウエファーのために要求を高めるこれらのウエファーを、採用するために市場関係者を引き付けている。通常、このウエファーが半導体、発光ダイオード、温度計、電子回路および低い溶ける合金の製造業の適用を見つけることのほかのバロメーターを、製造するのに使用されている。半導体および電子回路として企業はGaAsの市場活気づいている新しいピークに触れ続ける。GaAsのウエファーのガリウム砒素に電気からのレーザー光線の発生の力がある。特に多結晶性および単結晶はLD、LEDおよびマイクロウェーブ回路を作成するのにマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学両方の生産で利用されているGaAsのウエファーの2主要なタイプである。従って、光電子工学およびマイクロエレクトロニクスの企業のGaAsの適用の広範な範囲は、特にtheGaAsのウエファーの市場で要求の 流入を作成している。以前は、光電子工学装置は短距離光通信およびコンピュータ周辺機器で広い範囲で主に使用された。しかし今、それらはLiDAR、増加された現実および顔認識のようなある出現の適用のために需要がある。LECおよびVGFは電気特性および優秀な表面質の高い均等性のGaAsのウエファーの生産を改善している2つの普及した方法である。電子移動度、単一の接続点のバンド ギャップ、高性能、熱および湿気抵抗および優秀な柔軟性は半導体工業のGaAsのウエファーの受諾を改善しているGaAsの5つの明瞭な利点である。

指定の細部
6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度 0
LEDの塗布のためのGaAs (ガリウム砒素)
項目 指定 注目
伝導のタイプ SC/nタイプ  
成長方法 VGF  
添加物 ケイ素  
ウエファーDiamter 2、3の及び4インチ インゴットかようにカットの利用できる
水晶オリエンテーション (100) 2°/6°/15°を離れた(110) 利用できる他のmisorientation
EJか米国  
キャリア集中 (0.4~2.5) E18/cm3  
RTの抵抗 (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
移動性 1500~3000のcm2/V.sec  
腐食ピット密度 <500>  
レーザーの印 要望に応じて  
表面の終わり P/EまたはP/P  
厚さ 220~350um  
準備ができたエピタクシー はい  
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット  

 

マイクロエレクトロニクスの適用のためにSemi-insulating GaAs (ガリウム砒素)

 

項目
指定
注目
伝導のタイプ
絶縁
 
成長方法
VGF
 
添加物
Undoped
 
ウエファーDiamter
2、3、4の及び6インチ
利用できるインゴット
水晶オリエンテーション
(100) +/- 0.5°
 
EJ、米国またはノッチ
 
キャリア集中
n/a
 
RTの抵抗
>1E7 Ohm.cm
 
移動性
>5000のcm2/V.sec
 
腐食ピット密度
<8000>
 
レーザーの印
要望に応じて
 
表面の終わり
P/P
 
厚さ
350~675um
 
準備ができたエピタクシー
はい
 
パッケージ
単一のウエファー容器かカセット
 
いいえ。 項目 標準規格
1 サイズ   2" 3" 4" 6"
2 直径 mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 成長方法   VGF
4 添加される   、またはUn-doped Si添加されるか、またはZn添加される
5 コンダクターのタイプ   N/A、またはSC/N、またはSC/P
6 厚さ μm (220-350) ±20または(350-675) ±25
7 水晶オリエンテーション   <100>±0.5か2
OF/IFのオリエンテーションの選択   EJ、米国またはノッチ
オリエンテーションの平たい箱(の) mm 16±1 22±1 32±1 -
()同一証明の平たい箱 mm 8±1 11±1 18±1 -
8 抵抗 (ないのために
機械
等級)
Ω.cm (1-30) 『107、または(0.8-9) 『10-3、か1' 10-2-10-3
移動性 cm2/v.s ≥ 5,000、か1,500-3,000
キャリア集中 cm3 (0.3-1.0) x1018、または(0.4-4.0) x1018、
半としてまたは
9 TTV μm ≤10
μm ≤10
ゆがみ μm ≤10
EPD cm-2 ≤ 8,000か≤ 5,000
前部/背部表面   、P/P P/E
端のプロフィール   半として
粒子計算   <50>0.3のμm、カウント/ウエファー)、
半としてまたは
10 レーザーの印   裏側または要望に応じて
11 包装   単一のウエファー容器かカセット

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私達のZMKJについて

ZMKJは中国最もよい市である、私達の工場は創設される上海市に置き、
2014.Weのウーシー都市ではウエファー、基質にいろいろな材料を処理することを専門にしなさい
そして電子工学、光学で広く利用された光学ガラスparts.componentsをcustiomized
光電子工学および他の多くの分野。私達はまたずっと多くの国内を密接に使用している
そして海外大学、研究所および会社は、カスタマイズされたプロダクトを提供する
そしてR & Dのプロジェクトのためのサービス。
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よいreputatiaons。そう私達はまた同類として他のある材料の基質を提供してもいい:
6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度 4
包装– Logistcs
Worldhawkの心配はパッケージ、帯電防止クリーニング衝撃処置のそれぞれ詳しく述べる。
量そして形のプロダクトに従って、私達は別の包装プロセスを取る!
6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度 5
FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
(1)私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、FOBによるSFを受け入れ、
 そして50%の沈殿物、配達の前の50%の支払状態。
 
Q:受渡し時間は何であるか。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
 

Q:MOQは何であるか。
(1)目録のための、MOQは5pcsである。
(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。

 

私達にいつでも連絡しなさい

86-1580-1942596
Rm5-616、No.851のDianshanhuの道、Qingpu区域、上海都市、中国
私達にあなたの照会を直接送りなさい