プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: zmsh
モデル番号: 2inch-6h
支払いと送料の条件
最小注文数量: 2本
価格: 200usd/pcs by FOB
パッケージの詳細: 単一のウエファーの容器のカセット
受渡し時間: 15Days 内
供給の能力: 1000pcs
材料: |
SiC単結晶 |
産業: |
半導体ウエフラー |
申請: |
5G パワーエレクトロニクス 検出器 |
色: |
緑,青,白 |
カスタマイズされた: |
わかりました |
タイプ: |
6H-N |
材料: |
SiC単結晶 |
産業: |
半導体ウエフラー |
申請: |
5G パワーエレクトロニクス 検出器 |
色: |
緑,青,白 |
カスタマイズされた: |
わかりました |
タイプ: |
6H-N |
2インチ6H-半シシク・ウェーバー,カスタマイズされたシシク基板,2インチ6H-Nシシク・ウェーバー,シシク・クリスタル・インゴット,シリコン・カービッド・ウェーバー
この2インチ6H半隔熱シリコンカービッド (SiC) ウェファーは,特に検出器で低電力消費を必要とするアプリケーションのために設計されています.シリコン カービッド は,高い 温度 に 耐久 する 特性 で 知ら れ ます熱伝導性が優れているため,高性能の電子機器やセンサーに理想的な材料となっています.ワイファーの優れた電圧隔離特性と低電力消費は,検出器の効率と寿命を大幅に向上させます低電力で高性能な検出技術を実現するための重要な部品として,このSiCウエファーは様々な要求の高いアプリケーションに適しています.
応用分野
シリコンカルビッド材料の特性
| 資産 | 4H-SiC シングルクリスタル | 6H-SiC シングルクリスタル |
| 格子パラメータ | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 積み重ねの順序 | ABCB | ABCACB |
| モース硬さ | ≈92 | ≈92 |
| 密度 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 熱 膨張係数 | 4〜5×10〜6/K | 4〜5×10〜6/K |
| 屈折指数 @750nm |
2 は 2 です.61 ne = 2 について66 |
2 は 2 です.60 ne = 2 について65 |
| ダイレクトリ常数 | c~966 | c~966 |
| 熱伝導性 (N型,0.02オム/cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| 熱伝導性 (半絶縁) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンドギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 断裂する電場 | 3〜5×106V/cm | 3〜5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
標準仕様だ
| 2インチ直径 シリコンカービッド (SiC) 基板仕様 | ||||||||||
| グレード | MPDグレードはゼロ | 生産級 | 研究級 | ダミーグレード | ||||||
| 直径 | 50.8mm±0.2mm | |||||||||
| 厚さ | 330μm±25μmまたは430±25um | |||||||||
| ウェファーの方向性 | 軸外: 4H-N/4H-SI の場合は <1120> ±0.5° 6H-N/6H-SI の場合は <0001> ±0.5° | |||||||||
| マイクロパイプ密度 | ≤0cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤100cm-2 | ||||||
| 耐性 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| 主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| 主要平面長さ | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| 二次平面長さ | 10.0mm±2.0mm | |||||||||
| 二次的な平面方向性 | シリコンが上向き: プライムフラットから90°CW ±5.0° | |||||||||
| エッジ除外 | 1mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| 荒さ | ポーランド Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| 高強度の光による裂け目 | ない | 1 は許容され, ≤2 mm | 累積長 ≤ 10mm,単一の長 ≤ 2mm | |||||||
| 高強度光によるヘックスプレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤3% | |||||||
| 高強度光による多型エリア | ない | 累積面積 ≤2% | 累積面積 ≤5% | |||||||
| 高強度の光による傷 | 3 傷 1 × ワッフル直径の累積長 | 円盤直径の累積長に 5 割れ | 円盤直径の累積長に 5 割れ | |||||||
| エッジチップ | ない | 容量 ≤0.5mm | 容量5個,それぞれ ≤1mm | |||||||
ZMKJは電子および光電子産業に高品質のシングルクリスタルSiCウエファー (シリコンカービッド) を提供できます.SiCウエファは次世代の半導体材料です.独特の電気特性と優れた熱特性を持つシリコン・ウェーバーとガア・ウェーバーと比較して,SiC・ウェーバーは高温と高電力装置の適用に適しています.SiC・ウェーバーは直径2-6インチ,4Hと6H SiCの両方で供給できます.N型,窒素ドーピング,半絶縁型は利用可能です. 詳細については,ご連絡ください.
梱包 と 配送
>包装 物流
包装の細部をすべて取り扱います 清掃,防静止,ショック処理
商品の量と形状に応じて,私たちは異なるパッケージングプロセスをします! ほぼ単一のウェッファーカセットまたは25pcsカセットで100グレードクリーニングルーム.
