Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は作りました        

半導体工業は半導体として使用される材料の選択を再考します。例えば、                      

さまざまでより速く、より小さい計算装置が起こると同時に、ケイ素の使用はムーアの法律を支えることを困難にしています。しかしまたパワー エレクトロニクス、従ってGaNの半導体ウエハーで必要性のために育てられます。              

 独特な特徴（高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が）の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。    GaNはシステムを持っていて高い発電の効率を基づかせていて、従って従って減少の電源切れはより高い頻度で、転換しま、サイズおよび重量を減らします。                                                                                                                              

GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、                       

GaNは細胞基地局、レーダーおよびケーブル・テレビのようなRFの適用に理想的に適します                             

ネットワーキング、大気および宇宙空間および防衛セクター、高い故障の強さのおかげでの下部組織、      

低雑音図および高い直線性。