1.結晶構造:シリコンは,通常のダイヤモンド結晶構造と原子の秩序ある配置を持つ典型的な元素半導体であり,その電子特性の良好な基盤を提供します.

2.電子特性:シリコンの帯域幅は約1.12 eVで 隔熱器と電導体の間にある. 外部電場の影響で電子穴ペアを生成し再結合することができる.半導体性能が良い.

3.ドーピングシリコンは,その導電性タイプと抵抗性を調整するために,グループIII (例えばB) またはV (例えばP,As) の不純元素を組み込むことで調整することができる.各種半導体装置の製造が可能とする.

4.酸化性:シリコンは高温で酸素と化学反応し,密集した均質な二酸化シリコン (SiO2) フィルムを形成し,シリコンベースの集成回路プロセスの基礎を築くことができる.

5.メカニカルプロパティシリコンは硬さ,強度,化学的安定性が高く,その後切断,磨き,その他の加工プロセスに便利です.

6.サイズ:ワッフルは,異なるプロセスのニーズを満たすために,直径2インチから12インチまでのディスクに調製することができます.

テクニカルパラメータ

1.集積回路:シリコンウエファは,様々なデジタル統合回路 (CPU,メモリなど) とアナログ統合回路 (運用増幅器やセンサーなど) の製造のためのコアキャリアである.

2.太陽電池:シリコンウエファは太陽電池モジュールとして製造され,分散型太陽光発電と電源供給に広く使用されています.

3.マイクロ電子機械システム (MEMS):マイクロアクチュエーターやセンサーなどのMEMSデバイスは,シリコン材料の機械的特性とマイクロ製造技術を使用して製造される.

3.電力電子機器:シリコンベースの高温耐性および高容量電力を搭載した幅広い電力半導体装置を製造する.

4.センサー:シリコンベースのセンサーは,電子機器,産業制御,自動車電子機器,圧力センサー,加速センサーなどの分野で広く使用されています.

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