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| ブランド名: | zmsh |
| モデル番号: | InAsのウエファー |
| MOQ: | 10pcs |
| 価格: | by case |
| 配達時間: | 1-4weeks |
2inch直径50.8mmの500um厚さのInAsの基質、インジウムのヒ化物のInAsの水晶ウエファー、Nタイプ3inch 0.6mm InAsのウエファー、10x10mm正方形のInAsのウエファー
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InAsの単結晶の基質は2つの作成のような育てられたInAsSb/内部のAsPSb InNAsSbのヘテロ構造材料、のどれである場合もあります| InAsの単結晶の基質が付いている赤外線の波長の発光装置の14ミクロンは、また育てられたエピタキシアルAlGaSbの超格子材料、赤外線量の滝のレーザーのための生産である場合もあります。
ZMKJの缶は3インチまで直径の光電子工学の企業にInAsのウエファー（インジウムのヒ化物）を提供します。
InAsの水晶は純粋な6Nによってそして要素として形作られる混合物で、EPDの液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法によって育ちます < 15000="" cm="" -3="">
概要の特性
| 共通の指定 | |||||||
| 水晶 | ドープ塗料 | タイプ |
キャリア集中
cm-3
|
移動性率（cm2/V.s）
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転位密度
（cm-2）
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サイズ | |
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InAs
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N
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5*1016
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2*104
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<5>4
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Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
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InAs
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Sn
|
N
|
（5-20） *1017
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>2000年
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<5>4
|
Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
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InAs
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Zn
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P
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（1-20） *1017
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100-300
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<5>4
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Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
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|
InAs
|
S
|
N
|
（1-10） *1017
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>2000年
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<5>4
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Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
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サイズ（mm）
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Dia50.8x0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mmalsoはカスタマイズすることができます
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| RA | 表面の粗さ（RA）:<> | ||||||
| 磨かれた | 1spか2sp | ||||||
| パッケージ |
in1000gradeのクリーン ルームを詰める100等級
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| 成長 | LEC |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3" |
| 厚さ | 500 um | 625 um |
| オリエンテーション | <100> / <111> / <110> または他 |
| オリエンテーションを離れて | 2°への10°を離れて |
| 表面 | 磨かれる1つの側面磨かれる |
| 平らな選択 | EJまたは半。Std. |
| TTV | <> |
| EPD | <> |
| 等級 | Epiは等級/機械等級を磨きました |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器 |
私達のZMKJについて
Q:MOQは何ですか。
（1）目録のための、MOQは5pcsです。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsです。
Q:材料のための点検報告がありますか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいいです。
