エピタキシアルGaNのためのMPCVD方法Polytypeのダイヤモンドの基質のウエファー

熱管理区域のためのcustomziedサイズMPCVD方法GaN&Diamond脱熱器ウエファー

エピタキシアルGaNのためのMPCVD方法polytypeのダイヤモンドの基質のウエファー

ダイヤモンドに広いバンド ギャップ、高い熱伝導性、高い故障分野強さ、高いキャリア移動度、高温抵抗、酸およびアルカリの抵抗、耐食性、放射抵抗および他の優秀な特性がある
高い発電、高周波は、高温分野重要な役割を担い、最も有望で広いバンド ギャップの半導体材料の1つとして考慮される。

ダイヤモンドの利点
•あらゆる材料の最も高い室温の熱伝導性（2000W/m.kまで）•成長の表面の表面の粗さそして高い平坦•<1nm can="" be="" achieved=""> 電気絶縁材•非常に軽量
•高い機械強さ••化学慣性および低毒性
•広範囲利用できる厚さ•広範囲ダイヤモンドの結合の解決

ダイヤモンドは優秀な性能の極度の熱放散材料である:
•ダイヤモンドに室温であらゆる材料の最も高い熱伝導性がある。そして熱は電子プロダクト失敗の大きな理由である。

統計量に従って、働く接続点の温度は° Cが装置生命を倍増できる10を低く落とす。ダイヤモンドの熱伝導性は共通の熱管理材料のそれより高い3から3つはである（銅、炭化ケイ素および窒化アルミニウムのような）
10回。同時に、ダイヤモンドに軽量の、電気絶縁材、機械強さ、低毒性の利点があり、ダイヤモンドを作る低い比誘電率、それは熱放散材料の優秀な選択である。

•容易に電子力、力装置、等によって直面された「熱放散」問題を解決するダイヤモンドの固有の熱性能に完全な演劇を与えなさい。

容積で、信頼性を出力密度を高めるために改善すれば。「熱」問題が解決すれば、半導体はまた効果的に熱管理の性能を改善することによってかなり改良される、
装置の耐用年数そして力、同時に、操業費用を非常に削減するため。

私達のプロダクト利点
1.International成長の表面のRA < 1nmの表面の粗さを達成する導くひき、磨く機能
合成の沈殿は有効であり、血しょうに基づいてダイヤモンドの原子水平な表面のための精密な機械化方法はひき、磨を助けた。2インチのダイヤモンドの基質のために、表面は粗雑にすることができる
荒さはマイクロメートルの10から1nmよりより少しに減る。この技術に高い取り外しの効率があり、原子水平な平面を得ることができそして補助的な表面を作り出さない。
表面損傷。現在、少数の製造業者だけRA < 1nmにダイヤモンドの極度の表面粉砕および磨くことがあり、化学合成物は国際的な一流のレベルに達した。

2.Ultra高い熱伝導性、T C:1000-2000 W/m.K
熱伝導性が1000~2000 W/m Kであるように要求されるときダイヤモンド脱熱器は優先するおよび任意脱熱器材料だけである。合成SMTは顧客の要求に従って定めることができる
現在、3つの標準的なプロダクトは進水した:TC1200、TC 1500およびTC 1800。

3. Provide厚さ、サイズおよび形のようなサービスをカスタマイズした
合成の沈殿させたダイヤモンド脱熱器の厚さは200から1000ミクロンまで及び直径は2022年の前半に125のmmに達することができる。私達にレーザーの切断および磨く機能が幾何学的な形を顧客に、表面の平坦および低い荒さ、また特定の条件を満たすメタライゼーション サービス与えるある。

典型的な適用

ダイヤモンドの概要の特性

CVDdiamondの最も重要な特性はである

✔Unsurpassed硬度

✔Extremely高い熱伝導性

（>1800W/mK、5回銅のそれ）

✔Broadバンド光学透明物

✔Extremely化学的に不活性:

酸か他の化学薬品によって影響を与えられなくて

まさに高温のだけ✔Graphitization

（酸素の含んでいることのT >700℃

そして不活性大気の1500の℃）

適用:ダイヤモンドの成長のGaN;半導体レーザー;レーダー;光学モジュール;量子計算;GaN hemt装置;

ダイヤモンド熱管理解決

✔Thermal伝導性は性能および費用の両方条件に適するために合った

あなたの特定の解決のための✔Customのサイズそして形

必要とされた場合✔Optical透明物

接着の効力および積み重ねの性能の量を示す✔Means

サイズの指定の細部

プロダクトは示す