ダイヤモンドのGaNおよびエピタキシアルHEMTおよび結合によるGaNのウエファーのDimond

熱管理区域のためのcustomziedサイズMPCVD方法GaN&Diamond脱熱器ウエファー

GaNは無線周波数の、速く充満および他の分野で広く利用されているが、性能および信頼性はチャネルおよびジュールの熱するefiectの温度と関連している。GaNベースの力装置の一般的な基質材料（サファイア、ケイ素、炭化ケイ素）に低い熱伝導性がある。それは装置の熱放散そして強力な性能要件を非常に限る。従来の基質材料（ケイ素、炭化ケイ素）および受動の冷却の技術のにだけ頼ってひどくGaNベースの力装置の潜在性の解放を限る高い発電の条件の下で熱放散の条件を、満たすことは困難である。調査はダイヤモンドがかなりGaNベースの力装置の使用を改善できることを示した。ある熱効果問題。

ダイヤモンドに広いバンド ギャップ、高い熱伝導性、高い故障分野強さ、高いキャリア移動度、高温抵抗、酸およびアルカリの抵抗、耐食性、放射抵抗および他の優秀な特性がある
高い発電、高周波は、高温分野重要な役割を担い、最も有望で広いバンド ギャップの半導体材料の1つとして考慮される。

ダイヤモンドは優秀な性能の極度の熱放散材料である:
•ダイヤモンドに室温であらゆる材料の最も高い熱伝導性がある。そして熱は電子プロダクト失敗の大きな理由である。

統計量に従って、働く接続点の温度は° Cが装置生命を倍増できる10を低く落とす。ダイヤモンドの熱伝導性は共通の熱管理材料のそれより高い3から3つはである（銅、炭化ケイ素および窒化アルミニウムのような）
10回。同時に、ダイヤモンドに軽量の、電気絶縁材、機械強さ、低毒性の利点があり、ダイヤモンドを作る低い比誘電率、それは熱放散材料の優秀な選択である。

•容易に電子力、力装置、等によって直面された「熱放散」問題を解決するダイヤモンドの固有の熱性能に完全な演劇を与えなさい。

容積で、信頼性を出力密度を高めるために改善すれば。「熱」問題が解決すれば、半導体はまた効果的に熱管理の性能を改善することによってかなり改良される、
装置の耐用年数そして力、同時に、操業費用を非常に削減するため。

組合せ方法

• 1. GaNのダイヤモンド
• GaN HEMTの構造の成長のダイヤモンド

• 2. ダイヤモンドのGaN
• ダイヤモンドの基質のGaNの構造の直接エピタキシアル成長

• 3. GaN/ダイヤモンドの結合
• GaN HEMTが準備された後、ダイヤモンドの基質への移動の結合

アプリケーション領域

•マイクロウェーブ無線周波数5Gコミュニケーション、レーダー警告、衛星通信および他の適用;

•パワー エレクトロニクスのスマートな格子、高速鉄道の運輸、新しいエネルギー車、家電および他の適用;

光電子工学LEDライト、レーザー、フォトディテクターおよび他の適用。