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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | ZMSH |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | ダイヤモンドの AlN テンプレート |
ケイ素AlNのサファイア/AlN-on-SiC/のダイヤモンドの基質AlNのダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアル フィルムのAlN
窒化アルミニウム（AlN）は高い熱伝導性の少数の非金属材料の1つで、広い市場の塗布の見通しがある。Co.、株式会社を製造する化学半導体は2枚のinches/4インチのダイヤモンド ベースの窒化アルミニウムのフィルムの型板、2枚のinches/4インチ ケイ素 ベースの窒化アルミニウムのフィルムの型板を多くの顧客に、窒化アルミニウムの単結晶の蒸気沈殿および他のプロダクト与えるために実現し、またアプリケ−ション使用要件に基づいていることができる。Carry out成長をカスタマイズした。
AlNの利点
•直接バンド ギャップ、6.2eVのバンド ギャップの幅は、重要で深い紫外および紫外発光性材料である
•高温および高周波の高い故障の電界強さ、高い熱伝導性、高い絶縁材、低い比誘電率、低い熱拡張係数、よい機械性能、耐食性、一般的な
高い発電装置
•さまざまなセンサー、運転者およびフィルターを準備するための最もよい材料の1つである非常によい圧電気の性能（特にC軸線に沿って）、
•それにGaNの水晶に非常に近い格子定数および熱拡張係数があり、GaNのheteroepitaxial成長のための優先する基質材料基づかせていた光電子工学装置をである。
適用利点
•UVC LEDの基質
高い収穫および高い均等性のプロセス費用そして条件によって運転されて、AlGaNの基質は大きい厚さの、大型および適した斜面UVC LEDの破片をである基づかせていた。溝を彫られたサファイアの基質は大きい選択である。より厚い基質は効果的にエピタクシーの間に応力集中によって引き起こされるエピタキシアル ウエファーの異常なゆがみを軽減できる
エピタキシアル ウエファーの均等性は改善することができる;より大きい基質はエッジ効果を非常に減らし、すぐに破片の全費用、総原価を削減できる;適した小さな溝の角度はできる
エピタキシアル層の表面の形態、かエピタキシアル技術のコンバインを量の活動的な地域のGaの豊富なキャリアの局在化の効果を明るい効率を改善するためによく形作るように改良するため。
•転移層
AlNを使用して緩衝層がかなりGaNのフィルムのエピタキシアル質の、電気および光学的性質を改良できるように。GaNとAIN基質間の格子不適当な組み合わせは2.4%、だけでなく、高温成長によって引き起こされる熱圧力を避けることができるまた生産の効率を非常に改善するためにである熱不適当な組み合わせであるほとんどゼロ。
•他の適用
さらに、AlNの薄膜は表面の音波装置（鋸）の圧電気の薄膜、SOI材料の埋められた層、および白黒冷却を絶縁するバルク音波装置（FBAR）の圧電気の薄膜に使用することができる
陰極材料（分野放出表示におよびマイクロ真空管使用する）および圧電気材料、高い熱伝導性装置、音響工学装置、超紫外線およびX線の探知器。
空の集電極の放出、MIS装置、磁気光学記録媒体の保護層の誘電材料。
AlN 3つの主要なプロダクト
1. AlNケイ素
良質の窒化アルミニウム（AlN）の薄膜は合成の沈殿によってシリコン基板で首尾よく準備された。XRDの（0002の）動揺のカーブの半ピーク幅は0.9の°よりより少しであり、成長の表面の表面の粗さはRA 1.5nm<>
（窒化アルミニウムの厚さ200nm）、良質の窒化アルミニウムのフィルム大型の、良質および安価のガリウム窒化物（GaN）の準備の実現を助けるである。
のサファイアはAlNサファイアを基づかせていた
合成の沈殿によって準備されるサファイアの良質のAlN （サファイアは窒化アルミニウムを基づかせていた） XRD （0002）の振動カーブのRAの半ピーク<0>
幅は<1>
プロダクト費用および生産周期減る。顧客の証明はCSMCのサファイアの良質のAlNがUVC LEDプロダクトの収穫そして安定性を非常に改善できることを示す
質的、製品性能の改善を助ける。
3.ダイヤモンドによって基づくAlNダイヤモンド
CVMCは世界第1で、革新的にダイヤモンドによって基づく窒化アルミニウムを開発する。XRDの（0002の）振動カーブの半ピーク幅は3 °よりより少しであり、ダイヤモンドに超高度の熱伝導性がある（室温の熱伝導性はできる
窒化アルミニウムの新規アプリケーションを助ける成長の表面のRA < 2nm （窒化アルミニウムの厚さは200nmである）の2000W/mまでK）表面の粗さ。
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