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| 材料: | モノクリスタルGaAs | 企業: | semicondutorのウエファーldのためのまたは導かれる |
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| 適用: | 半導体の基質は、破片、光学ガラスの窓、装置基質を導いた | 方法: | CZ |
| サイズ: | 2inch~6inch | 厚さ: | 0.425mm |
| 表面: | cmp/エッチングされる | ドープされた: | Si添加される |
| MOQ: | 10pcs | 等級: | 研究の等級/模造の等級 |
| ハイライト: | Pのタイプ ガリウム砒素のウエファー,6inch GaAsのウエファー,半導体GaAsのウエファー |
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6inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質
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GaAsのウエファー
GaAsのウエファーGaAsの基質のウエファーGaASの基質のウエファーGaASは高周波、高い電子移動、高い電子性能、低い唾液音および線形長所の優秀な特性が付いている半導体材料である。それは光電子工学およびマイクロエレクトロニクス工業で広く利用されている。光電子工学工業では、GaASの基質のウエファーはLED （発光管）、LD （教授の軽い庭）、光起電装置、等の製造に使用することができる。マイクロエレクトロニクスの企業の分野ではMESFET （金属の半導体分野効果の革管）、HEMT （高い電子移動度のトランジスター）、HBT （ヘテロ接合の両極トランジスター）、IC、マイクロウェーブ ダイオード、ホール装置、等を作るのに、それが使用することができる。
| LEDの塗布のためのGaAs （ガリウム砒素） | ||
| 項目 | 指定 | 注目 |
| 伝導のタイプ | SC/nタイプ | |
| 成長方法 | VGF | |
| 添加物 | ケイ素 | |
| ウエファーDiamter | 2、3の及び4インチ | インゴットかようにカットの利用できる |
| 水晶オリエンテーション | （100） 2°/6°/15°を離れた（110） | 利用できる他のmisorientation |
| の | EJか米国 | |
| キャリア集中 | （0.4~2.5） E18/cm3 | |
| RTの抵抗 | （1.5~9） E-3 Ohm.cm | |
| 移動性 | 1500~3000のcm2/V.sec | |
| 腐食ピット密度 | <500> | |
| レーザーの印 | 要望に応じて | |
| 表面の終わり | P/EまたはP/P | |
| 厚さ | 220~350um | |
| 準備ができたエピタクシー | はい | |
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |
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私達のZMKJについて
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
コンタクトパーソン: Mr. Wang
電話番号: +8615801942596
