|
| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | zmsh |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | 6INCH GaAsのウエファー |
10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
定常ガリウム酸化物の水晶に2つの開裂の平面（100）が付いているmonoclinalの構造がおよびある（001）。成長プロセスに関する限りでは、（100つの）結晶段階ガリウム酸化物の水晶の成長プロセスは（001の）水晶の成長プロセスは非常に高くプロセス制御を要求するがより育ち易い。同じ処理条件の下で、（001の）表面の表面質そして収穫はよりよく、有効で、高い表面質の処理を達成することを困難にする（100つの）表面は容易に裂かれ、壊れる。適用側面から、主要な（001の）水晶段階ガリウム酸化物は力の半導体デバイスの使用のためにより適している、従って主要な（001の）水晶段階ガリウム酸化物の水晶の成長を制御することは困難であるがすばらしい産業価値があるか、または大型の主要な（001の）水晶段階ガリウム酸化物、ガリウム酸化物の市場の塗布の側面の成長プロセスをであるプロセスを促進することは非常に困難持っていない。
ガリウム酸化物（Ga2O3）を導入する前に、私を別の言葉をもたらすことを許可しなさい:広いバンド ギャップの半導体材料。
バンド ギャップの幅は半導体の重要な独特変数である。半導体材料の別のバンド構造に従って、半導体材料は2つのタイプに分けることができる:広いバンド ギャップおよび狭帯域のギャップ。半導体材料のバンド ギャップの幅が2.3eVよりより少なくあれば、狭帯域のギャップの半導体と呼ばれる。半導体材料のバンド ギャップの幅が2.3eVに大きければよりまたは同輩、ワイドバンドのギャップの半導体と呼ばれる。材料抗できればより大きい半導体材料、より大きくエネルギー伝導帯への転移に電子に必要な、およびこうしてより高いのbandgapの幅温度および電圧すなわち、より少なく容易それはコンダクターになることである。
よい放射抵抗および化学安定性、高い飽和させた電子漂流の速度および熱伝導性、優秀な電気特性および他の特徴がある広いバンド ギャップの半導体材料は放射抵抗の生産のために非常に適している、高周波、高い発電および高密度統合された電子デバイス。近年、急速に成長の広いバンド ギャップの半導体材料に移動体通信の半導体の照明、新しい世代、スマートな格子、高速鉄道の運輸、新しいエネルギー車、家電および他の分野で広い適用見通しがあり、情報、エネルギー、交通機関、国防および他の企業の開発を支える主新しい材料になると期待される。広ギャップの半導体材料の関連技術の研究開発は全体的な半導体工業の新しく戦略的な高地になっている。
| オリエンテーション | 100 | 100 | 100 |
| 添加 | UID | Mg | Fe |
| 電気変数 |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
|
≥1010Ω·cm
|
|
arcsec |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| 転位密度 | <1×105 cm-2 | <1×105 cm-2 | <1×105 cm-2 |
私達のZMKJについて
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは5pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcs-30pcsである。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達は私達のプロダクトのための詳細レポートを供給してもいい。
私達にいつでも連絡しなさい
