例えば炭化ケイ素材料に多数のセクターで見通しが高速鉄道、自動車電子工学、スマートな格子、光起電インバーター、産業電気機械、データ センタ、白物家電、家電、5Gコミュニケーション、次世代の表示、等ある。適用視点から、炭化ケイ素材料の適用は3つの部門、低電圧、中型の電圧および高圧に分けることができる。
低電圧分野では、主要出願はPFCおよび電源のような家電に、置く。例を与えるためには、Xiaomiおよび華為技術は速い充電器のガリウム窒化物装置を利用し始めた。
中型の電圧分野では、適用は自動車電子工学、柵の運輸およびより高い電圧電力網(3300V上の電圧の電力網)に主にある。Teslaはモデル3.のために使用した炭化ケイ素装置を合わせる最初の自動車製造業者の1つだった。
炭化ケイ素のダイオードおよびMOSFETsプロダクトは低く、中型の電圧分野で非常に成長成長して得、今装備され、そして適用される。
高圧分野のために、成長したプロダクトがまだ進水することを持っているのに、炭化ケイ素に自身の著名な特徴がある。世界はこの分野のための研究し、成長の段階に今ある。
炭化ケイ素の最もよい適用シナリオは電気自動車である。Toyotas電気ドライブ モジュール(電気自動車の主要部分)は炭化ケイ素装置のサイズを50%またはもっと比較されるケイ素 ベースのIGBTsと減らす。さらに、炭化ケイ素のエネルギー密度は二度ケイ素 ベースのIGBTsのそれ多くである。これはまた部品の最大限に活用されたレイアウトによる他の部品で合うためにそれらにより多くのスペースを提供する炭化ケイ素を選択するために複数の製造業者を引き付けた。
従来のシリコン基板上の炭化ケイ素の使用へ多数の利点がある。主要な利点の1つは材料に高速、高温や高圧適用の多くの利点を与える硬度である。炭化ケイ素のウエファーに平均が1ポイントから別の井戸に熱を移すことができる高い熱伝導性があり、電気伝導率および最終的に小型化を改善する。
炭化ケイ素の基質にまた熱するか、または冷却すると同時にかなり変わらないか、または形づかないことを意味する熱拡張のための低い係数がある。それらに壊れるか、または割れないで温度を急速に変える機能があり装置を製造するときそれらに明確な利点を与える熱衝撃に対して非常に抵抗力がある。これの上に、それらは非常に耐久の基質で、酸、アルカリまたは融解塩と温度で800°C.まで反応しない。
高温のその強さはまた炭化ケイ素の基質が安全にそれを事実上あらゆる高温適用のために適したようにする1600°C上の温度で作動するようにする。これらの指定- Polytypeの結晶構造、熱伝導性(nタイプ;0.020 Ω*cmは)、格子変数、Single-Crystal 4H、直径、Bandgap、熱伝導性(HPSI)およびMohsの硬度を支えた-炭化ケイ素のウエファーに従来のバルク シリコン基板上のかなりの利点を与えなさい。
4H-SiC*および6H SiC **両方とも200mm (8inch)に50.8mm (2")からの直径の広い範囲が付いている半導体材料、ある。全部のタイプそして添加物はN/Nitrogen/intrinsic/HPSIである。抵抗のために、4H SiCに.015 - >1E7 ohm*cmである6H SiCはもっと持っているが、.028のohm*cmの範囲がある。全面的な厚さに関しては、250umを- 15,000umか15mm持ちなさい両方。タイプのSiCが、両方のタイプに適用される表面の終わりシングルまたはダブルの側面である問題は磨かなかった。それらの積み重ね順序はABCB (4H-SiC*)およびABCACB (6H SiC **)である。4H-SiC*の電子移動度は800 cm2/V*Sおよび6H SiCのcm2/V*Sであるが比誘電率は9.6であり、4H-SiC*および6H SiCのための9.66は3.21と**それぞれ、**共通財産への400のcm2/V*S.の感謝、密度である同じである·103 kg/m3。
ZMSH SIC010 SiCの基質は注文のサイズsicの破片、注文のサイズの版、1x1cm、0.5x0.5mmから5.5 MV/cmの高い絶縁破壊電圧、λ/10@632.8nmの優秀な表面の平坦、>400MPaのよい引張強さ、モノクリスタルsicの基質、ROHSの証明および競争価格との5x5mmのための理想的な選択、である。それはいろいろな適用で広く利用されている、半導体、電子工学、光電子工学のような、LED、等。その優秀な特性はそれに多くの企業のための理想的な選択をする。
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銘柄:ZMSH
型式番号:SIC010
原産地:中国
証明:RoHS
最低順序量:10pc
価格:場合によって
包装の細部:Customziedのプラスチックの箱
受渡し時間:30days
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000pc/month
添加物:N/A
表面の平坦:λ/10@632.8nm
材料:SiCのモノクリスタル
絶縁破壊電圧:5.5 MV/cm
耐圧強度:>1000MPa
特徴:10x10mm;5x5mmのcustomzied形sicの版、4h-semi HPSI sicのウエファー
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