プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
モデル番号: SiC基板
支払いと送料の条件
受渡し時間: 2〜4週間
支払条件: T/T
材料: |
SiC単結晶 |
タイプ: |
4H-N型 |
厚さ: |
350mm 500mm |
密度: |
3.21 G/cm3 |
表面: |
Si面CMP; C面MP; |
ウエファーのオリエンテーション: |
軸外: <1120> +/- 0.5 方向に 4 度 |
材料: |
SiC単結晶 |
タイプ: |
4H-N型 |
厚さ: |
350mm 500mm |
密度: |
3.21 G/cm3 |
表面: |
Si面CMP; C面MP; |
ウエファーのオリエンテーション: |
軸外: <1120> +/- 0.5 方向に 4 度 |
- 使用するSIC モノクリスタル作る
- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
- 高性能,広い帯域,高い電子移動性
- 高硬さ 約9.2モース
- パワーエレクトロニクス,LED,センサーなどのハイテク分野に広く使用されています
シリコン・カーバイド (SiC) ウェーバーは,シリコンと炭素から構成され,様々な用途で使用される重要な半導体材料です.
特徴的な電気的および熱的特性で知られるSiCウエフは半導体産業において重要な役割を果たしています.
高温環境では特に有利で,従来のシリコンウエファーに比べていくつかの利点があります.
*製品仕様表は下記です.
| 資産 | P級 | D級 |
| 結晶形 | 4H-N | |
| ポリタイプ | 許されない | 面積≤5% |
| (MPD) a | ≤1/cm2 | ≤5/cm2 |
| ヘクサックスプレート | 許されない | 面積≤5% |
| 六角型ポリクリスタル | 許されない | |
| 含め物 | 面積≤0.05% | N/A |
| 耐性 | 0.015Ω•cm 0.028Ω•cm | 0.014Ω•cm 0.028Ω•cm |
| (EPD) a | ≤8000/cm2 | N/A |
| (TED)a | ≤6000/cm2 | N/A |
| (BPD) a | ≤2000/cm2 | N/A |
| (TSD) a | ≤1000/cm2 | N/A |
| 積み重ねの欠陥 | ≤1% 面積 | N/A |
| 表面金属汚染 | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm-2 | |
シリコンカーバイド (SiC) 産業連鎖は,基板材料の準備,表軸層の成長,デバイスの製造,下流のアプリケーションなど,いくつかの主要な段階で構成されています.
SiC単結晶は通常,物理蒸気伝送 (PVT) 方法を用いて生成される.
これらの結晶は化学蒸気堆積 (CVD) プロセスのための基板として機能し,上軸層を形成します.
これらの層は,その後,様々な装置の製造に使用されます.
SiC装置の産業では,その技術的複雑性により,価値の大部分は上流基材製造段階に集中している.
ZMSH社は2インチ,4インチ6インチ8インチと12インチのサイズの SiCウエファーを提供しています.
他のサイズ要件があれば,カスタマイズできます. (具体的なパラメータを教えてください)
特殊な硬さ (SiCは世界で2番目に硬い材料) と高温や電圧下で安定性があるため
SiCは複数の産業で広く利用されています.
*追加要求があれば オーダーメイドできます
精密な加工機器と 試験機器を備えています標準化されていない製品を加工する非常に強力な能力を提供しています.
顧客のニーズに応じて様々な新しい製品を研究,開発,デザインすることができます.
同社は"顧客を中心に 品質を重視する"という原則を堅持し,光電子材料の分野でトップレベルのハイテク企業になるよう努めます.
*シリコン酸を製造する時
1. 2インチシシ基板 6H-Nタイプ 厚さ350mm,650mm シシ・ウェーファー
2.6"高純度シリコン 4H-Semi SIC ダミーグレード半導体ウェーファー LED 5G Dグレード
14H-N SiCとシリコンの比較は?
4H-N SiCはシリコンに比べて 帯域幅が広く 熱伝導性が高く 断熱電圧も良くなります
2Q: 4H-N SiC 技術の将来見通しは?
A: 4H-N SiC テクノロジーの将来見通しは 期待されるもので 電力電子機器,再生可能エネルギー,先進電子システムへの需要が増加しています
