| ブランド名: | ZMSH |
| モデル番号: | SiC基板 |
| 配達時間: | 2〜4週間 |
| 支払条件: | T/T |
- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
- 六角結晶 (4H SiC) で,SiCモノ結晶から作られる
- 高硬度 モース硬度9まで2ダイヤモンドに次ぐ
- 高温環境に適した優れた熱伝導性
-高周波,高電力電子機器に適した広い帯域の特徴
4H-N SiCの記述
シリコンカービッド (SiC) ウェーファは,ユニークな物理的および化学的特性を持つ半導体材料です.
高分解電場強度,高い電子移動性,優れた熱伝導性により多くの注目を集めている.
SiCは電動車,再生可能エネルギー,RFデバイス,電源電子機器に広く使用されており,電源MOSFET,シュトキーダイオードなどの生産に重要な役割を果たしています.
もちろん電気自動車の分野では SiC装置は 電力変換効率と走行距離を大幅に向上させることができます再生可能エネルギーシステムにおける SiCインバーターにより,エネルギー変換効率とシステムの信頼性が向上します.
さらに,SiCウエファはRFアプリケーションにおけるデバイスのスイッチ速度と動作周波数を増加させ,高周波電子部品の開発を促進することができる.
製造コストが高く,主に材料の準備と加工の複雑さにより,技術とプロセスの継続的な進歩により,費用は徐々に減っています.
電子機器の小型化と効率化だけでなく,将来のエネルギー変換と電気自動車技術に新たな開発機会をもたらします.市場見通しと技術的可能性は非常に広い.
製造技術の成熟と 応用範囲の拡大とともにシリコンカービッドのウエファは より多くの分野で広く使用され,次世代の電子機器の開発にとって重要な推進力となる.
ZMSHは長年にわたり SiC分野に深く関わっており,世界中の顧客に様々なSiC製品を提供し,顧客サービスと製品品質に焦点を当てています.そして,光電子材料の分野でトップレベルのハイテク企業になることを目指しています..
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4H-N SiCの詳細
各種のSiCウエファーには 独自の物理的な詳細があります
2インチ4H-Nタイプです
| 2インチ直径 4H N型シリコンカービッド基板 仕様 | ||
| 基板のプロパティ | 生産級 | ダミーグレード |
| 直径 | 50.8 mm ± 0.38 mm | |
| 表面の向き | 軸上: {0001} ± 0.2° | |
| 軸外: <11-20> ± 0.5° 方向に 4° | ||
| 主要的な平面方向性 | <11-20> ± 5.0 ̊ | |
| 二次的な平面方向性 | 90.0 ̊CWからPrimary ± 5.0 ̊,シリコンが上向き | |
| 主要平面長さ | 16.0 mm ± 1.65 mm | |
| 二次平面長さ | 8.0 mm ± 1.65 mm | |
| ウェッファー・エッジ | シャムファー | |
| マイクロパイプ密度 | ≤5マイクロパイプ/cm2 | ≤50マイクロパイプ/cm2 |
| 高強度光による多型領域 | 許されない | 面積 ≤10% |
| 耐性 | 0.015~0.028Ω·cm | (面積 75%) |
| 0.015~0.028Ω·cm | ||
| 厚さ | 350.0 μm ± 25.0 μm または 500.0 μm ± 25.0 μm | |
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm |
| ボウ | ≤10 μm | ≤15 μm |
| ワープ | ≤25 μm | |
| 表面塗装 | 双面ポリッシュ,シ・フェイス・CMP (化学ポリシング) | |
| 表面の荒さ | CMP Si Face Ra≤0.5 nm | N/A |
| 高強度の光による裂け目 | 許されない | |
| エッジチップ/インデント | 許されない | Qty.2 <1.0 mm 幅と深さ |
| 総使用面積 | ≥90% | N/A |
| 注:上記パラメータ以外の個別仕様も許容される. | ||
4H-N SiCのサンプルを
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よくある質問
1Q について:4H-N SiCは頻繁に交換する必要があるか?
A: いいえ,4H-N SiC は,その卓越した耐久性,熱安定性,耐磨性のために頻繁に交換する必要はありません.
2Q: 4h-n sic の色を変えられるか?
A: そうですが,色調変更は可能ですが,材料の性能に影響する方法を慎重に検討する必要があります.