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SiC シリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICP 切削プロセス

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SiC シリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICP 切削プロセス

大画像 : SiC シリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICP 切削プロセス

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	ZMSH
証明:	rohs
モデル番号:	SiCセラミック・トレイ

お支払配送条件:

受渡し時間:	2〜4週間
支払条件:	T/T

詳細製品概要

製品名:	シリコーンの炭化物の皿	材料:	陶磁器シリコーンの炭化物
色:	空っぽ	純度:	99.999%
許容性:	±0.001mm	適用する:	エピタキシアル成長処理
サイズ:	オーダーメイドサイズ
ハイライト:	シリコン・カービッドセラミック・トレイ , エピタキシアル成長処理セラミックトレイ , ICP エッチングプロセスセラミック・トレイプレート

製品説明

SiCシリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICPエッチングプロセスエピタキシアル成長処理用

非酸化セラミック,シリコンカービッドセラミック (SiC) はモーススケールで9.5までの硬さを持つ超硬い材料です.シリコンカービッドセラミックは,室温で優れた機械特性を持っているだけでなく,高い折りたたみ強度,優れた酸化耐性,良好な耐腐蝕性,高い耐磨性,低摩擦系数,だけでなく優れた機械特性 (強度,高温では"600°Cまで保たれるため,すべての陶器材料の中で最高です.シリコンカービッドセラミクスの酸化耐性も,非酸化セラミクスのうち最高です..

特徴

- 皮を剥がさないで,すべての表面を覆うようにしてください.

高温酸化耐性:高温1600°Cまで安定

高度純度:高温塩化条件下でのCVD化学蒸気堆積によって作られる.

SiC シリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICP 切削プロセス 1

耐腐食性:高硬さ,密度の高い表面,微粒

腐食耐性:酸,塩分,塩分,有機反応剤に耐性がある.

- 最適なラミナール空気の流れパターンを達成

- 均等な熱分布を保証する

- 汚染や不純物の拡散を防ぐ

テクニカルパラメータ

SiC シリコンカービッドセラミックトレイプレート・ウェーファーホルダー ICP 切削プロセス 3

申請

- メカニカルシールリング

- バルブボール,シート,ブッシング

- オーブンの家具

- 交換器

- タービン部品の固定と移動

- 磨き媒体

- 軍用防弾インセット

- 燃焼器具の部品

- セラミック・ベアリング

私たちのサービス

1工場の直接製造と販売

2速くて正確な引用です

324時間以内に返信します.

4オーダーメイドデザインは可能です.

5速さと貴重な配達

よくある質問

1. Q: MOQは何ですか?
A: (1) 備品については,MOQは3pcsです.
(2) カスタマイズされた製品では,MOQは10pcsです.

2.Q: 配達時間は?
A: (1) 標準製品については
注文後 5 営業日以内に届けます
カスタマイズされた製品については,注文から2〜3週間後に配達します.
(2) 特殊形状の商品は,注文から4週間の間に配達されます.

3.Q: 送料と費用は?
A: (1) 私たちはDHL,Fedex,EMSなどを受け入れます.
(2) 自分の宅配口座があるなら,それは素晴らしい.そうでない場合は,私たちはそれらを送るのにあなたを助けることができます.
貨物は実際の決済に準拠しています.

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コンタクトパーソン: Mr. Wang

電話番号: +8615801942596

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