プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: ZMSH
証明: rohs
モデル番号: サファイア リフトピン
支払いと送料の条件
価格: by case
受渡し時間: 2-4weeks
支払条件: T/T
材料:: |
モノ結晶 Al2O3 |
密度:: |
3.98g/cm3 |
硬度:: |
9 (モハ) |
色:: |
透明性 |
サイズ:: |
カスタマイズ |
成長方法:: |
KY |
材料:: |
モノ結晶 Al2O3 |
密度:: |
3.98g/cm3 |
硬度:: |
9 (モハ) |
色:: |
透明性 |
サイズ:: |
カスタマイズ |
成長方法:: |
KY |
ZMSHはサファイアリフトピンの生産を専門とし,サファイア結晶材料の研究開発,製造,販売に焦点を当てています.ザファイア の 引き上げ ピン は 極めて 強く 知ら れ て い ます高級機器製造および精密加工アプリケーションに理想的になります. さらに,これらの機械は,高性能な機械の製造と高性能な機械の製造に適しています.ZMSHは,カスタマイズされた処理サービスを提供しています,様々な産業要件を満たす様々な仕様でサファイアリフトピンを設計し,生産することができます.
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化学組成 |
モノ結晶 Al2O3 |
|
硬さ |
9モス |
|
光学的な性質 |
単軸型 |
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屈折率 |
1.762-1770 |
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違反行為 |
0.008-0 だった010 |
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分散 |
低い0018 |
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輝き |
グラス |
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プレオクロイズム |
適度 から 強い |
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直径 |
0.4mm-30mm |
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直径の許容量 |
0.004mm-0.05mm |
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長さ |
2mm~150mm |
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長さ容量 |
0.03mm-0.25mm |
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表面の質 |
40/20 |
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表面の丸さ |
RZ0だ05 |
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オーダーメイド形 |
両端が平らで,片端の半径,両端の半径 |
サファイアリフトピンは半導体およびLED製造機器の重要な部品であり,主にウェーファー転送および位置付けに使用されます.
1ウェッファーサポート&垂直移動
薄膜堆積 (例えばMOCVD),エッチング,またはリトグラフィープロセスでは,ロボットの腕は,カメラ床から引き上げられるサファイアリフトピンを操作し,ワッフルを正確に支える (例えば,2/4/6-インチ基板) を保持し,並べた位置を維持し,積載と卸荷を容易にする.
2高温環境での安定した性能
サファイア (単結晶Al2O3) は2050°Cの超高溶融点を有し,1000°C以上 (例えば,熱変形や金属ピンに特有のウエファー汚染の危険性がない.
3プロセス完全性のための化学慣性
酸や塩基やプラズマ環境に対する 特殊な耐性により 石灰は 彫刻やCVDプロセス中に 不浄物質が放出するのを防ぎます製造の純度を確保する (特にSiC/GaNのような広帯域半導体にとって重要です).
主要 な 利点
1超低汚染:金属 (例えば,モリブデン) やセラミック (例えば,AlN) の代替物と比較して,サファイアは,クリーンルーム基準のクラス10を満たし,最小限の粒子の流出を生成します.
2特殊な硬さ (Mohs 9): 表面の摩擦耐性は,クォーツピンの5~8倍以上の10万サイクルを超えた使用寿命を延長します.
3. 対応した熱膨張係数: SiC/GaN ウェーファー (~7.5×10−6/°C) と緊密に並べることで,熱ストレスによる歪みや亀裂を最小限に抑える.
1. LED上位軸波形生成: MOCVD反応器におけるGaN上位軸成長中にサファイア基質をサポートする.
2電力半導体製造: SiCウエフルの高温イオン植入または焼却プロセスを可能にします.
3高度パッケージング:超薄質のウエファー (厚さ <100μm) のウエファーレベルパッケージング (WLP) のマイクロレベル精度位置付けを保証する.
ZMSHは高品質のサファイア棒を専門としています 優れた強度,熱安定性,耐腐蝕性のために設計されています精密な仕様を満たす精密加工を提供しています.
1.Q:サファイアリフトピンは何のために使われますか?
A: サファイアリフトピンは,高い硬さ,熱安定性,化学抵抗性により,セミコンダクターおよびLED製造で精密なウェーファー処理に使用されます.
2.Q: なぜ金属やセラミックの代替品よりもサファイアリフトピンを選んだのか?
A: サファイアリフトピンは金属とセラミックオプションを優れている. 優れた耐磨性,最小限の粒子の生成,高温または腐食性のある環境での寿命が長い.
タグ: #サファイアリフトピン, #形とサイズカスタマイズ, #サファイア棒, #精密製造, #産業用アプリケーション, #ウェーファー処理
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